Effect of gadolinium impurities on injection-induced impurity photoconductivity in InSe single crystals

Abstract

1 the injection-induced impuriQ photoconductivity (IIIP)in specially undoped InSe single crystals was explained on the basis of the existence of uncontrollable impurity centres, i. e. trapping levels in the forbidden gap of this material and their non-uniform distribution along the specimen. In order to refine the details of this model, the present report deals with an investigation of the effect of doping on the llIP in the above semiconductor. Specilnens with thicknesses from 3 0 to 200 pm were obtained by spallation from large 1nSe:Gd single crystals with NGd = 0.10, 0.20, 0.30, and 0.40 a%, grown by the Bridg -38, 29 (1982).

Особенности подвижности электронов в слоистом полупроводнике n-InSe

“…Выбор в качестве легирующих примесей вышеуказанных химических элементов (лантаноидов) сделан из следующих соображений. Во-первых, к данному моменту существуют в большом количестве работы по легированным различными лантаноидами n-InSe [19][20][21][22][23][24][25], результаты которых могут облегчить объяснение полученных нами экспериментальных результатов. Во-вторых, физико-химические свойства [26][27][28] (электронная конфигурация, химическая активность, устойчивость в воздухе, температура плавления, магнитные свойства, атомный и ионный радиусы, электрохимическая подобность с In) этих лантаноидов делают их наиболее подходящими в качестве лигатора для InSe.…”

“…Что касается происхождения предполагаемых дрейфовых барьеров, то здесь ситуация такая. Результаты комплексных исследований фотоэлектрических, люминесцентных, электрофизических свойств монокристаллов n-InSe [20,[22][23][24][25][37][38][39] позволяют сказать, что вследствие слоистости структуры, сегрегации атомов составных компонентов при выращивании и из-за наличия различных политипов в образцах этого полупроводника существуют случайные макроскопические дефекты [43]. Поэтому в области низких температур монокристаллы n-InSe ведут себя как частично неупорядоченные кристаллические вещества, состоящие в целом из низкоомной (НО) матрицы с хаотическими высокоомными (ВО) включениями.…”