Effect of Laser Wavelength on Structure and Photoelectric Properties of &lt;I&gt;a&lt;/I&gt;-Si:H Films Crystallized by Femtosecond Laser Pulses

Khenkin, Mark V.; Amasev, D. V.; Dudnik, Anna O.; Emelyanov, A. V.; Форш, П. А.; Казанский, А.Г.; Drevinskas, Rokas; Beresna, Martynas; Kazansky, Peter G.

doi:10.1166/jno.2014.1668

Cited by 2 publications

(1 citation statement)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…В частности, имеются данные по влиянию фемтосекундного лазерного облучения пленок a-Si : H на их структуру, содержание водорода, оптическое по-глощение, проводимость и фотопроводимость [16][17][18][19][20][21][22][23][24]. Однако в литературе имеются данные по фемтосекунд-ной лазерной кристаллизации нелегированного a-Si : H. В то же время для создания многих полупроводниковых приборов необходимы элементы как p-, так и n-типа, поэтому интересно рассмотреть влияние легирования на свойства a-Si : H, подвергнутого фемтосекундной лазер-ной кристаллизации.…”

Section: (поступила в редакцию 13 февраля 2017 г)unclassified

Влияние Легирования На Свойства Аморфного Гидрогенизированного Кремния, Облученного Фемтосекундными Лазерными Импульсами

Денисова¹,

Ильин²,

Мартышов³

et al. 2018

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

A comparative analysis of the effect of femtosecond laser irradiation on the structure and conductivity of undoped and boron-doped hydrogenated amorphous silicon ( a -Si: H) is performed. It is demonstrated that the process of nanocrystal formation in the amorphous matrix under femtosecond laser irradiation is initiated at lower laser energy densities in undoped a -Si: H samples. The differences in conductivity between undoped and doped a -Si: H samples vanish almost completely after irradiation with an energy density of 150–160 mJ/cm^2.

show abstract