Electrical characterizations of Au/ZnO/n-GaAs Schottky diodes under distinct illumination intensities

Tan, Serhat Orkun; Tecimer, Habibe Uslu; Çіçek, Osman; Orak, İkram; Altındal, Ş.

doi:10.1007/s10854-016-4843-4

Cited by 50 publications

(9 citation statements)

References 40 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…In last years, electrical and optical properties of metal/ semiconductor (MS) contacts which are composed of an organic or polymer interlayer, have been investigated as a function of illumination in detail instead of insulator or oxide interlayer because they let modify electrical parameters of them such as ideality factor (n), series/shunt resistances (R s , R sh ), saturation current (I s or I 0 ), barrier height (BH), rectification rate (RR), interface/surface states (N ss ), photosensitivity (S), open-circuit voltage (V oc ). [1][2][3][4][5][6][7][8][9] All these parameters are usually dependent on the homogeneity of BH, formed interlayer between MS, the density of N a or N d , illumination intensity (P), the form of ohmic and rectifier metal contacts, and sample temperature. [10][11][12][13][14] Interface states, located between interlayers and semiconductors, act as recombination centers that can capture and release an electronic charge under illumination and temperature effect.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

The illumination effects on the current conduction mechanisms of the Au/(Er₂O₃:PVC)/n‐Si (MPS) Schottky diodes

Altındal

Azizian‐Kalandaragh

Ulusoy

et al. 2022

J of Applied Polymer Sci

View full text Add to dashboard Cite

Photoresponse of the Au/(Er2O3:PVC)/n‐Si diode was executed in a wide range of illumination intensity (P). Its basic electrical parameters such as ideality factor (n), barrier height (ΦB0), series and shunt resistances (Rs, Rsh), photocurrent (Iph), energy‐dependence of interface states (Nss), and photosensitivity (S) were calculated from the results of the current–voltage (I–V) measurements. At the negative‐bias region, an increase in Iph is observed due to the e−‐h+ pairs that occur as a result of increasing P and their drift in opposite directions under the internal electric field. The ln(Iph)–ln(P) plot shows a good linear behavior under various applied voltages. Their slopes vary from 1.47 to 1.64, indicating that empty trap levels, that is, levels not occupied by charges, are of low density. The values n, ΦB0, and Rs were obtained using the thermionic emission theory, Cheung, and Norde functions. The value of ΦB0 decreases with increasing n and P as linearly with ΦB0(n) = (−0.143n + 1.118) eV and ΦB0(P) = (−2 × 10−4P + 0.831) eV, respectively. This illumination coefficient of ΦB0 (=−2 × 10−4 eV/[mW/cm2]) is close to the temperature coefficient bandgap of Si (=−4.73 × 10−4 eV/K). These results show that the performed Au/(Er2O3:PVC)/n‐Si diode has excellent photo‐response and can be successfully used in photovoltaic applications instead of conventional metal–semiconductor diodes.

show abstract

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

The illumination effects on the current conduction mechanisms of the Au/(Er₂O₃:PVC)/n‐Si (MPS) Schottky diodes

Altındal

Azizian‐Kalandaragh

Ulusoy

et al. 2022

J of Applied Polymer Sci

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…This confirms the photoconductive behavior of the diode. Upon illumination of the diode, a photocurrent is created by the photo-generated charge carriers at the interface on the diode [34][35][36][37][38][39]. The value of ideality factor and barrier height determined from the forward bias I-V characteristics for dark and 100 mW/cm 2 is given in Table 1.…”

Section: Photocurrent-voltage (I-v) Characteristics Of the Diodementioning

confidence: 99%

Structural, Electrical and Photoresponse Properties of Si-based Diode with Organic Interfacial Layer Containing Novel Cyclotriphosphazene Compound

Yakuphanoğlu

Koran

Özen

et al. 2017

Silicon

View full text Add to dashboard Cite

The electrical and photoresponse properties of an Al/p-Si/organic layer/Al diode were investigated. The organic layer containing novel 2,2-bis[spiro(7,8-dioxy-4-methylcoumarin)]-4,4,6,6-bis[spiro(2',2"-dioxy-1',1"biphenylyl)]cyclotriphosphazene compound was coated by the drop casting method on p-Si having ohmic contact. The structural characterization of the novel cyclotriphosphazene compound was confirmed by using 1 H, 13 C and 31 P-NMR, elemental analysis and FTIR spectroscopic techniques. The diode exhibits a photoconducting and photodiode behavior under solar light illumination. The electrical parameters such as ideality factor, barrier height and series resistance of the diode were determined from I-V characteristics. It is seen that the photocurrent of the diode under illumination is higher than the dark current. Also, the frequency dependence of capacitance (C) and conductance (G) was explained on the basis of interface states. It is evaluated that the hybrid photodiode can be used as a photosensor in organic photodetector applications.

show abstract

“…Ters ve doğru beslem akımlarındaki davranışlar incelendiğinde imal edilen diyotun fotodiyot özelliği sergilediğini belirtmişlerdir. Aydınlatmadan sonra idealite faktöründeki artışı MY arayüzündeki homojensizliğe atfetmişler ve arayüzey durumlarının enerji dağılımının artan aydınlatma seviyesi ile arttığı ve seri dirence bağlı olarak değiştiği gözlemlenmiştir [39]. MPY ve MFY/MFYY yapıların elektriksel özellikleri metal yarıiletken arasındaki arayüzeysel özelliklere, yalıtkan/polimer arayüzey tabaka oluşumuna, Schottky engel yüksekliğindeki homojensizliğe ve seri dirence de bağlı olduğundan MYY yapılar ile benzerlik göstermektedir [4].…”

Section: Gi̇ri̇ş (Introduction)unclassified

Schottky Yapılar Üzerine İnceleme ve Analiz Çalışması

Tan¹

2018

Journal of Polytechnic

View full text Add to dashboard Cite

Yüksek sıcaklık ve vakum altında metal ve yarı iletkenlerin sıkı kontak edilmesi durumunda oluşan metal-yarı iletken kontaklar üzerinde hala çok sayıda teorik ve deneysel çalışma yapılıyor olmasına rağmen metal ve yarı iletken arasındaki bariyerin oluşumu ve iletimi mekanizmaları henüz tam olarak aydınlatılmamıştır. Bu yapılar hakkında yapılan ilk detaylı çalışmalar W. Schottky tarafından yapıldığından, bu metal-yarı iletken kontaklar genellikle Schottky diyotlar/yapılar olarak bilinir. Geçmişten günümüze farklı fiziksel, kimyasal ve elektriksel özelliklere sahip çeşitli malzemeler kullanılarak arayüzey tabakalar olmaksızın veya yalıtkan, polimer ve ferroelektrik gibi arayüzey tabakalar içeren Schottky yapıların performansı arttırılmaya çalışılmıştır. Çok yüksek frekanslarda ve düşük ileri ön gerilimde çalışabilmesi ve çok hızlı anahtarlama kabiliyeti gibi diğer diyotlarda bulunmayan özellikleri, elektronik teknolojideki yaygın kullanımı ve gelişime açık teknolojiye sahip olması bilim insanlarını Schottky yapıları üzerinde çalışmaya teşvik etmektedir. Bu çalışmada, metal yarıiletken ve arayüzey tabakasına sahip metal yarıiletken Schottky yapıların bu alanda yapılan bilimsel çalışmalar da göz önüne alınarak incelenmesi, zaman içindeki gelişiminin gözlenmesi ile birlikte dünya ve Türkiye'de bu alanda yapılan akademik çalışmaların istatistiksel analizi yapılmıştır. Sonuçta, Türkiye'nin bilimsel çalışmalar bakımından dünyanın neresinde olduğunu açığa çıkartmak amaçlanmıştır. Aynı zamanda farklı MY yapılar üzerine yapılmış bilimsel çalışmaların Türkiye ve dünyada ne oranda karşılık gördüğü de ortaya konulmuştur. Web of Science veri tabanında Science Citation Index (SCI) tarafından taranan ve hem Türkiye'de hem de tüm dünyada yapılan akademik çalışmaların analizi veri madenciliği ile otomatik veri toplama yöntemleri ve Structured Query Language (SQL) sunucu yönetim stüdyosu programı kullanılarak yapılmıştır. İstatistiksel analiz sonuçları her alanda Schottky yapılar üzerine Türkiye ve dünyada yapılan akademik çalışmaların nerede ise her sene artış gösterdiğini göstermektedir.

show abstract

Electrical characterizations of Au/ZnO/n-GaAs Schottky diodes under distinct illumination intensities

Cited by 50 publications

References 40 publications

The illumination effects on the current conduction mechanisms of the Au/(Er₂O₃:PVC)/n‐Si (MPS) Schottky diodes

The illumination effects on the current conduction mechanisms of the Au/(Er₂O₃:PVC)/n‐Si (MPS) Schottky diodes

Structural, Electrical and Photoresponse Properties of Si-based Diode with Organic Interfacial Layer Containing Novel Cyclotriphosphazene Compound

Schottky Yapılar Üzerine İnceleme ve Analiz Çalışması

Contact Info

Product

Resources

About

Electrical characterizations of Au/ZnO/n-GaAs Schottky diodes under distinct illumination intensities

Cited by 50 publications

References 40 publications

The illumination effects on the current conduction mechanisms of the Au/(Er2O3:PVC)/n‐Si (MPS) Schottky diodes

The illumination effects on the current conduction mechanisms of the Au/(Er2O3:PVC)/n‐Si (MPS) Schottky diodes

Structural, Electrical and Photoresponse Properties of Si-based Diode with Organic Interfacial Layer Containing Novel Cyclotriphosphazene Compound

Schottky Yapılar Üzerine İnceleme ve Analiz Çalışması

Contact Info

Product

Resources

About

The illumination effects on the current conduction mechanisms of the Au/(Er₂O₃:PVC)/n‐Si (MPS) Schottky diodes

The illumination effects on the current conduction mechanisms of the Au/(Er₂O₃:PVC)/n‐Si (MPS) Schottky diodes