Electronic structure and optical properties of CaF2 films under low energy Ba+ ion-implantation combined with annealing

Электронные и оптические свойства нанопленок NiSi-=SUB=-2-=/SUB=-/Si

“…Профили распределения атомов по глубине определялись методом ОЭС в сочетании с травлением поверхности ионами Ar + . Более подробное описание методики эксперимента приведено в [10].…”

“…Уменьшение толщины этих пленок способствует созданию сверхвысокочастотных транзисторов и интегральных схем, работающих с предельной частотой > 100 GHz. Одним из перспективных методов получения нанокристаллов и нанопленок с толщиной d < 5−10 nm на поверхности полупроводников является низкоэнергетическая ионная имплантация [8][9][10][11]. В частности, в [10,11] имплантацией ионов Co + в сочетании с отжигом на поверхности и в приповерхностном слое Si получены наноструктуры и нанопленки CoSi 2 .…”

“…Одним из перспективных методов получения нанокристаллов и нанопленок с толщиной d < 5−10 nm на поверхности полупроводников является низкоэнергетическая ионная имплантация [8][9][10][11]. В частности, в [10,11] имплантацией ионов Co + в сочетании с отжигом на поверхности и в приповерхностном слое Si получены наноструктуры и нанопленки CoSi 2 . Изучены их состав, структура, электронные свойства и выяснены основные механизмы формирования слоев CoSi 2 .…”

Влияние имплантации ионов Al-=SUP=-+-=/SUP=- на состав, электронную и кристаллическую структуру поверхности GaP(111)

“…Для получения таких структур широко используются методы молекулярно-лучевой и твердофазной эпитаксии. Наши исследования, проведенные в последние годы [10][11][12], показали, что метод низкоэнергетической ионной имплантации является эффективным средством создания наноразмерных фаз и слоев на поверхности и в приповерхностной области материалов различной природы.…”

Влияние Поэтапного Постимплантационного Отжига На Состав И Структуру Поверхностных Слоев Кремния, Имплантированного Ионами Щелочных Металлов

“…При создании наноразмерных двух-и многослойных гетероструктур, обеспечивающих необходимые комбинации материалов для получения базовых элементов современной нано-, микро-и оптоэлектроники, широко используются методы молекулярной и твердофазной эпитаксии [1][2][3][4][5][6], а также метод низкоэнергетической (E 0 ≤ 5 keV) ионной имплантации в сочетании с отжигом [7][8][9][10][11][12]. Среди этих методов только метод ионной имплантации позволяет получать однородные сплошные пленки с толщиной h ≤ 40−50 ¦ .…”