Electronic structure of Ag₂S and Ag₂GeS₃

Abstract

В локальном приближении теории функционала плотности выполнены расчеты зонной структуры, полной и парциальных плотностей состояний, распределения электронной плотности в Ag 2 S и Ag 2 GeS 3. По результатам расчета сделан детальный анализ структуры валентных состояний. Показано, что оба соединения являются прямозонными полупроводниками с рассчитанной шириной запрещенной зоны E gd = 0.91 эВ для Ag 2 S и E gd = 1.96 эВ для Ag 2 GeS 3. Химическая связь в этих соединениях имеет ионную и ковалентную составляющие. Ключевые слова: электронная структура, плотность состояний, сульфид серебра, тиогерманат серебра, распределение валентного заряда.

Импедансметрия нанокристаллитов Ag-=SUB=-2-=/SUB=-S, внедренных в нанопористые стекла

“…Низкотемпературная (моноклинная) фаза является прямозонным полупроводником с шириной запрещенной зоны E g = 0.9 еV [12]…”

Фазовый Переход Полупроводник--Суперионик В Пленках Сульфида Серебра

“…Обратим внимание на одно принципиально важное обстоятельство. А именно, низкотемпературная фаза Ag 2 S представляет собой прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 0.9 еV [12]. При этом если в молекуле типичная энергия химической связи с большой степенью ионости составляет 4 J/mol (или около 4 eV), а энергия чисто ковалентной связи вдвое больше и составляет 8 eV, то энергия, необходимая для освобождения иона внутри кристаллической решетки и обеспечения его миграции, оказывается приблизительно в 4−5 раз ниже [11] и составляет несколько менее 1 eV.…”