В локальном приближении теории функционала плотности выполнены расчеты зонной структуры, полной и парциальных плотностей состояний, распределения электронной плотности в Ag 2 S и Ag 2 GeS 3. По результатам расчета сделан детальный анализ структуры валентных состояний. Показано, что оба соединения являются прямозонными полупроводниками с рассчитанной шириной запрещенной зоны E gd = 0.91 эВ для Ag 2 S и E gd = 1.96 эВ для Ag 2 GeS 3. Химическая связь в этих соединениях имеет ионную и ковалентную составляющие. Ключевые слова: электронная структура, плотность состояний, сульфид серебра, тиогерманат серебра, распределение валентного заряда.

Неемпіричним ab initio методом функціонала густини проведені розрахунки електронної структури, повної та парціальних густин станів 2Н-політипа SnS 2 у високосиметричних точках зони Бріллюена. Встановлено наявність восьми віток у валентній зоні 2Н-політипа. Спостерігається добра узгодженість теоретично розрахованих і експериментальних дисперсійних кривих, побудованих за результатами дослідження енергетичної структури методом фотоелектронної спектроскопії з кутовим розділенням. Встановлено, що даний політип є непрямозонним напівпровідником, в якому прямі та непрямі переходи мають місце в точках Г 4 Г 1 і  4 U 1 , відповідно. Проведено зіставлення розрахованої по всій зоні Бріллюена повної густини електронних станів у валентній зоні 2Н-політипа SnS 2 з експериментальними рентгенівськими фотоелектронними (РФЕС) і ультрафіолетовими фотоелектронними (УФ ФЕС) спектрами, а для зони провідності-зі спектрами ізохромат гальмівного випромінювання і рентгеноемісійними спектрами сірки й олова та спектрами відбивання. Теоретично розрахований енергетичний розподіл повної густини електронних станів якісно та кількісно відтворює основні експериментальні особливості фотоелектронних спектрів.

Методом функционала электронной плотности выполнены самосогласованные вычисления зонного спектра, полной и парциальных плотностей электронных состояний и пространственного распределения плотности валентного заряда ромбического кристалла GeSe. По результатам расчетов сделан детальный анализ структуры валентных состояний. Показано, что вершина валентной зоны и дно зоны проводимости ромбического GeSe формируются преимущественно 4р-состояниями Se и Ge. Рассчитанная полная плотность электронных состояний в валентной зоне сравнивается с ультрафиолетовыми и рентгеновскими фотоэлектронными спектрами. Выполнен теоретикогрупповой анализ, позволивший установить симметрию волновых функций в ряде высокосимметричных точек зоны Бриллюэна и установить структуру зонного представления валентных зон и определить актуальные позиции Выкоффа в элементарной ячейке GeSe. Исходя из симметрии волновых функций, установлены правила отбора для оптических дипольных переходов.Ключевые слова: моноселенид германия, электронная структура, плотность электронных состояний, фотоэлектронные спектры.

No abstract

No abstract