Electronic structure of the 2H-SnS₂ crystal

Abstract

Неемпіричним ab initio методом функціонала густини проведені розрахунки електронної структури, повної та парціальних густин станів 2Н-політипа SnS 2 у високосиметричних точках зони Бріллюена. Встановлено наявність восьми віток у валентній зоні 2Н-політипа. Спостерігається добра узгодженість теоретично розрахованих і експериментальних дисперсійних кривих, побудованих за результатами дослідження енергетичної структури методом фотоелектронної спектроскопії з кутовим розділенням. Встановлено, що даний політип є непрямозонним напівпровідником, в якому прямі та непрямі переходи мають місце в точках Г 4 Г 1 і  4 U 1 , відповідно. Проведено зіставлення розрахованої по всій зоні Бріллюена повної густини електронних станів у валентній зоні 2Н-політипа SnS 2 з експериментальними рентгенівськими фотоелектронними (РФЕС) і ультрафіолетовими фотоелектронними (УФ ФЕС) спектрами, а для зони провідності-зі спектрами ізохромат гальмівного випромінювання і рентгеноемісійними спектрами сірки й олова та спектрами відбивання. Теоретично розрахований енергетичний розподіл повної густини електронних станів якісно та кількісно відтворює основні експериментальні особливості фотоелектронних спектрів.

The band energy structure of (N(CH3)4)2ZnCl4 crystals

“…Найбiльше зацiкавлення викликають найменше та найбiльше значення ефективних мас i, вiдповiдно, напрямки, уздовж яких маси приймають екстремальнi значення. Найрiзкiшiй змiнi (k) вiдповiдає мiнiмальна ефективна маса, а найповiльнiшiй змiнi (k) максимальна ефективна маса [26]. При цьому дiрка характеризується позитивною ефективною масою, якщо перебуває поблизу стелi валентної зони, i негативною, якщо поблизу долини валентної зони.…”