Неемпіричним ab initio методом функціонала густини проведені розрахунки електронної структури, повної та парціальних густин станів 2Н-політипа SnS 2 у високосиметричних точках зони Бріллюена. Встановлено наявність восьми віток у валентній зоні 2Н-політипа. Спостерігається добра узгодженість теоретично розрахованих і експериментальних дисперсійних кривих, побудованих за результатами дослідження енергетичної структури методом фотоелектронної спектроскопії з кутовим розділенням. Встановлено, що даний політип є непрямозонним напівпровідником, в якому прямі та непрямі переходи мають місце в точках Г 4 Г 1 і  4 U 1 , відповідно. Проведено зіставлення розрахованої по всій зоні Бріллюена повної густини електронних станів у валентній зоні 2Н-політипа SnS 2 з експериментальними рентгенівськими фотоелектронними (РФЕС) і ультрафіолетовими фотоелектронними (УФ ФЕС) спектрами, а для зони провідності-зі спектрами ізохромат гальмівного випромінювання і рентгеноемісійними спектрами сірки й олова та спектрами відбивання. Теоретично розрахований енергетичний розподіл повної густини електронних станів якісно та кількісно відтворює основні експериментальні особливості фотоелектронних спектрів.

В рамках методу ефективної маси, розраховано енергію мінізон надграток (β-InSe) n /(In 4 Se 3) m з різними співвідношеннями товщин шарів n/m. Проведено теоретичний розрахунок компонентів тензора деформацій ε ij , що відповідає рівноважному стану гетеропереходу. Проаналізовано вплив деформації на зміну величини енергії носіїв заряду в цих гетероструктурах. Ключові слова: гетероструктура, надгратка, метод ефективної маси, обвідна функція, селеніди індію, теорія пружності.

Методом функціонала густини виконані самоузгоджені розрахунки зонних спектрів, густин станів, просторового розподілу густини заряду валентних електронів -фази низького та -фази високого тисків SiS 2 . Для обох фаз виконаний симетрійний аналіз, який дозволив встановити симетрію хвильових функцій у ряді високосиметричних точок зони Брилюена та структури зонних зображень валентної зони. За результатами розрахунків зонних структур встановлено, що ромбічна -фаза SiS 2 є непрямозонним напівпровідником з шириною забороненої зони E gi = 2.44 еВ (перехід T 1 X 8 ), а -фаза -прямозонним з E gd = 2.95 еВ. Теоретично розрахований енергетичний розподіл повної густини станів у валентній зоні -фази SiS 2 якісно і кількісно передає основні експериментальні особливості рентгенівського фотоелектронного спектра (РФЕС).Ключові слова: дисульфід кремнію, поліморфізм, електронна структура, густина станів.

Проведено ab initio розрахунок повної енергії та електронних спектрів надкомірки кристалів типу Cu 6 PS 5 Br із 100 атомів, із яких занятими є тільки 25. Розрахунок виконано методом функціонала густини в узагальненому градієнтному наближенні за допомогою пакета програм ABINIT. Ключові слова: аргіродити, кристалічна структура, надкомірка, електронний спектр, ab initio.

No abstract