No abstract

No abstract

No abstract

В локальном приближении теории функционала плотности выполнены расчеты зонной структуры, полной и парциальных плотностей состояний, распределения электронной плотности в Ag 2 S и Ag 2 GeS 3. По результатам расчета сделан детальный анализ структуры валентных состояний. Показано, что оба соединения являются прямозонными полупроводниками с рассчитанной шириной запрещенной зоны E gd = 0.91 эВ для Ag 2 S и E gd = 1.96 эВ для Ag 2 GeS 3. Химическая связь в этих соединениях имеет ионную и ковалентную составляющие. Ключевые слова: электронная структура, плотность состояний, сульфид серебра, тиогерманат серебра, распределение валентного заряда.

Within the score of the density functional theory, we investigate the impact of point defects on the electronic structure of Hg3Te2Cl2 crystals, by using the supercell model [2 × 2 × 1]. The ab initio calculations for defect-free and defective Hg3Te2Cl2 crystals in the LDA approximation are performed for the first time, by using the quantum-chemical software package SIESTA. The studied crystal possesses an indirect band gap. According to the analysis of the obtained data, the indirect gap is equal to 2.628 eV, while the direct gap is 2.714 eV. The influence of vacancy defects on the conductive and optical properties of Hg3Te2Cl2 crystals is discussed in detail. The tellurium and chlorine vacancy defect states indicate the presence of additional energy levels below the bottom of the conduction band edge. We have shown that only tellurium vacancies produce the additional energy levels in a vicinity of the valence band maximum. It is found that the presence of point defects in Hg3Te2Cl2 changes the direction of optical transitions. Therefore, the defective crystal is a direct gap semiconductor. The satisfactory agreement with the experimental data is obtained.