Electronic Structure of the Low and High Pressure Phases of Silicon Disulfide

Abstract

Методом функціонала густини виконані самоузгоджені розрахунки зонних спектрів, густин станів, просторового розподілу густини заряду валентних електронів -фази низького та -фази високого тисків SiS 2 . Для обох фаз виконаний симетрійний аналіз, який дозволив встановити симетрію хвильових функцій у ряді високосиметричних точок зони Брилюена та структури зонних зображень валентної зони. За результатами розрахунків зонних структур встановлено, що ромбічна -фаза SiS 2 є непрямозонним напівпровідником з шириною забороненої зони E gi = 2.44 еВ (перехід T 1 X 8 ), а -фаза -прямозонним з E gd = 2.95 еВ. Теоретично розрахований енергетичний розподіл повної густини станів у валентній зоні -фази SiS 2 якісно і кількісно передає основні експериментальні особливості рентгенівського фотоелектронного спектра (РФЕС).Ключові слова: дисульфід кремнію, поліморфізм, електронна структура, густина станів.