Elektronenmikroskopische Untersuchungen der Bildung von Leerstellenagglomeraten in abgeschrecktem Gold Von

Diffusion processes play a key role in the fabrication of semiconductor devices. For a long time the underlying mechanisms were thought to be analogous to those in metals, based on vacancies as thc dominant lattice defects in thermal equilibrium. From the mid‐sixties onwards it became clear that this picture is invalid for Si, where strongly relaxed self‐interstitials are dominant and responsible for self‐ and Group‐III‐ diffusion. Inter alia, this change of a paradigm led to novel concepts and to the quantitative explanation of the diffusion of so‐called hybrids such as Au, Pt, and Zn in Si by the so‐called kick‐out mechanism.

“…), which he did brilliantly. His Ph.D. work on the formation of stacking-fault tetrahedra in quenched gold [12] became a trail blazer.…”

mentioning

confidence: 99%

Self‐diffusion in silicon – Change of a paradigm

Seeger

2011

The Contribution of Multiple Vacancies to Self‐Diffusion

Seeger¹,

Schottky²,

Schumacher³

1965

The deviations from a straight line of an Arrhenius plot of self-diffusion coefficients are discussed in terms of the contribution of multiple vacancies to self-diffusion. It is shown that for nickel the major part of the curvature may be accounted for by di-and trivacancy contributions. A small residual curvature of the Arrhenius plot is possibly indicative of a temperature dependence of the activation entropies.Xbweichungen von einem geradlinigen Verlauf in der Arrhenius-Darstellung von Selbstdiffusionskoeffizienten werden im Hinblick auf Beitrage von Mehrfachleerstellen zur Selbstdiffusion diskutiert. Es zeigt sich, daI3 bei Nickel die Kriimmung grofitenteils durch Beitrage von Doppel-und Dreifachleerstellen erklart werden kann. Die verbleibende restliche Kriimmung deutet moglicherweise auf eine Temperaturabliiingigkeit der Aktivierungsentropien hin.

Electron Diffraction Contrast of Small Stacking Fault Tetrahedra with Applications to Quenched Gold

Chik¹

1966

Self Cite

It is shown that the characteristic diffraction contrast of small stacking fault tetrahedra obtained by imaging with a { 220) reflection can be used to distinguish small unresolved stacking fault tetrahedra from dislocation loops. Application of these results to quenched gold shows that vacancy clusters exist already in their early stage as stacking fault tetrahedra.Es wird gezeigt, da13 der an kleinen Stapelfehlertetraedern durch einen (220)-Reflex abgebildete charakteristische Beugungskontrast benutzt werden kann, um zwischen kleinen unaufgeliisten Stapelfehlertetraedern und Versetzungsringen zu unterscheiden. Diese Ergebnisse werden zur Untersuchung der Leerstellenansammlung in abgeschrecktem Gold benutzt. Es zeigt sich, daD die Leerstellenagglomerate schon in ihrem Anfangsstadium als Stapelfehlertetraeder bestehen.