Indirect coupling between two localized magnetic moments in a semiconductor is considered. This coupling may be of two origins: due t o intraband electron transitions (RKKY) and virtual interband transitions, the latter being of particular importance in materials considered. Strong spinorbit coupling between electronic bands leads to a complicated form of the effective Hamiltonian.It no longer contains a Heisenberg term only. The number of independent constants describing the interaction depends on the symmetry of the interacting pair. The special case of zincblende structure is considered. Several simple models are reviewed and found insufficient to describe the indirect interaction, a t least for closely lying moments, a fact which stresses the necessity of numerical calculations.Es wird die indirekte Kopplung zwischen lokalisierten magnetischen Momenten in einem Halbleiter untersucht. Diese Kopplung kann zwei Ursachen haben: Interband-Elektronenwechselwirkung (RKKY) und virtuelle Interbandubergange, wobei die letzteren in den betrachteten Materialien besonders wichtig sind. Starke Spin-Bahn-Wechselwirkung zwischen Elektronenbandern fiihrt zu einer komplexen Form des effektiven Hamiltonoperators. E r enthalt dann nicht mehr nur einen Heisenbergterm. Die Anzahl der unabhangigen Konstanten, die die Wechselwirkung beschreiben, hangen von der Symmetrie der wechselwirkenden Paare ab. Der spezielle Fall der Zinkblendestruktur wird betrachtet. Einige einfache Modelle werden analysiert und es wird gefunden, da8 sie nicht fahig sind, die indirekte Wechselwirkung zu beschreiben, wenigstens fur eng benachbarte Momente, eine Tatsache, die die Notwendigkeit numerischer Rechnungen bestltigt.