Etude de diodes Schottky réalisées sous ultra-vide par dépôt d'aluminium ou d'argent sur GaP type N clivé

Abstract

To cite this version: M. Benkacem, M. Dumas, J.-M. Palau, L. Lassabatère. Etude de diodes Schottky réalisées sous ultravide par dépôt d'aluminium ou d'argent sur GaP type N clivé. Résumé. 2014 On présente les résultats de la caractérisation I(V) en direct et 1/C2(V) en inverse de diodes Schottky Al/GaP et Ag/GaP réalisées sous ultra-vide sur la face (110) clivée d'un barreau de type n. Deux types de surfaces ont été utilisées : les surfaces vierges et les surfaces recuites à 650 K pendant une heure. Ces surfaces ont préalablement été étudiées à la sonde de Kelvin et par spectroscopie Auger [1, 2]. Les diodes ont une barrière I(V) comprise entre 1,1 et 1,2 eV. Les caractéristiques 1/C2(V) sont linéaires mais conduisent à des hauteurs de barrière très sensiblement supérieures. De façon générale, le recuit préalable de la surface conduit à des diodes de moins bonne qualité : barrière légèrement diminuée, accroissement du facteur d'idéalité, non-linéarité à bas niveau de courant. Nous proposons une explication basée sur la présence d'états d'interface enfouis, déterminant la hauteur et la forme de la barrière et pouvant participer au transport du courant.Abstract. 2014 Forward I(V) and reverse 1/C2(V) results obtained for Al/GaP and Ag/GaP Schottky diodes 2. Conditions expérimentales.