Étude des pièges dans les transistors à haute mobilité électronique sur GaAs à l'aide de la méthode dite de “relaxation isotherme”. Corrélation avec les anomalies de fonctionnement

Abstract

Les phénomènes de piégeage à l'origine des anomalies de fonctionnement ont été étudiés dans les transistors à haute mobilité électronique sur GaAs, à l'aide de la méthode dite de “relaxation isotherme”. Les principes de cette méthode ainsi que des améliorations sont brièvement décrits. Après validation, des cas typiques sont présentés. La méthode apparait comme un outil d'investigation facilitant le choix des technologies des dispositifs électroniques rapides en vue de leur introduction dans les systèmes

Improved mathematical model for the investigation of deep traps into semiconductor devices: application to Metamorphic HEMT

“…Another one is based on low noise frequency measurement [5][6] [7]. Our interest in this paper is to propose a new effective method using appropriate mathematical tools to extract trap signatures using the isothermal relaxation method [8]. A first advantage of this method is that it is non-destructive; tests are performed on real III-V transistor structures and under real functioning conditions.…”

“…The signature of a trap is given by Equation(8).A trap corresponds to a straight line of slope E a and ordinate at the origin ln(C) in the graph ln( T²) function of 1000 T . Consequently, finding traps is reduced to finding straight lines in the graph ln( T²) function of 1000 T .…”