Les phénomènes de piégeage à l'origine des anomalies de fonctionnement ont été étudiés dans les transistors à haute mobilité électronique sur GaAs, à l'aide de la méthode dite de “relaxation isotherme”. Les principes de cette méthode ainsi que des améliorations sont brièvement décrits. Après validation, des cas typiques sont présentés. La méthode apparait comme un outil d'investigation facilitant le choix des technologies des dispositifs électroniques rapides en vue de leur introduction dans les systèmes

I n -s i t e laser desorption of G a A s semi-insulating substrate surfaces p r i o r to MBE growth and laser processing of ohmic contacts have been used f o r the fabrication of X-band HEMTs with s u p e r l a t t i c e donor layers. The improvements made lead t o high performance devices.

Considerable progress is now reported on pseudomorphic InGaAs high mobility transistors (PM.HEMTs). However, structures which exhibit the best performances are thermodynamically metastable. The stabilities of commercially available devices have been studied. Investigations of both GaAdInGaAs and AIGaAdInGaAs interface vicinities have been performed through deep level characterizations. Life-testing experiments have then been carried out in order to assess the stability of the InGaAs buried strained layer and related interfaces during operation. Deep level studies together with electrical parameter measurements indicate that interfaces of InGaAs strained quantum well HEMTs do not induce particular degradations after 3000 hours into biased ageing tests.

No abstract