“…Низкопороговая АЭ обусловлена следующими эффектами: пористостью и проникновением поля, большим числом поверхностных уровней и отрицательным зарядом на поверхности кластеров, малым электронным сродством, которое при легировании может стать отрицательным. Отрицательному электронному сродству в алмазных кластерах посвящены работы [53,54,[76][77][78][79][80][81][82]. Рассматривается допирование такими элементами, как Li, Mg, Ag, N, Ni, Ag.…”