Formation of X-ray shift fringes and a new method for determination of the difference sign of interplanar distances

Abstract

A detailed investigation of the conditions for the formation of X-ray shift fringes is carried out, aiming to apply these patterns to investigations of crystal imperfections. Expressions for the amplitudes and X-ray intensity distribution are obtained for a two-crystal interferometer, in which the interplanar distance between two reflecting planes, d, has a relative change Deltad/d approximately 10(-8) - 10(-5). It is theoretically proven and experimentally confirmed that the value of the period of interference bands essentially depends on the sign of Deltad.

Investigating the Impact of an External Influence on the Dynamic Behavior of Dislocations in Silicon Crystals

“…It is known [8][9][10][11][12] that X-ray interferometric methods are extremely sensitive to structural disturbances and have high resolution. In [8], it is shown how the theory of moire fringes on X-ray diffraction topographs of bi-crystals can be derived from the dynamic theory for reflection and transmission cases.…”

“…In [8], it is shown how the theory of moire fringes on X-ray diffraction topographs of bi-crystals can be derived from the dynamic theory for reflection and transmission cases. In [9], the conditions of the formation of X-ray shift fringes are investigated aimed at applying these patterns to the study of crystal imperfections. It is theoretically provel and experimentally confirmed that the period of interference bands essentially depends on the sign of difference of interplanar spacing.…”

Новый Способ Юстировки Неодинарного Рентгеновского Интерферометра И Устройства Для Генерации Дислокаций В Его Блоке

“…Важнейшим достижением решения этой проблемы следует считать создание рентгеновских интерферометров, применяемых для исследования структурных дефектов кристаллов неразрушающим способом. Высокая чувствительность муаровых картин к искажениям атомных плоскостей имеет большое значение для изучения дефектной структуры кристаллов [1][2][3][4][5]. С помощью муаровых картин осуществляется визуализация дефектов, а методом рентгеноинтерферометрического муара определяются количественные характеристики структурных нарушений совершенных кристаллов [6][7][8][9].…”

Использование Рентгеновского Интерферометра Для Определения Некоторых Параметров Полимерных Веществ

“…Их значение позволяет однозначно решить вопрос о расположении макромолекул в структурных образованиях: кристаллитах, монокристаллах, сферолитах и других морфологических единицах высокомолекулярных соединений. Этот метод отличается большой точностью и имеет широкое применение в области исследований структурных несовершенств кристаллических веществ [5][6][7][8][9][10][11]. Для изучения дефектной структуры кристаллов большое значение имеет высокая чувствительность муаровых полос к искажениям атомных плоскостей (интерференционные картины, полученные интерферометрами, называются муаровыми полосами или муарами).…”