Influence de la polarisation du substrat semi-isolant sur les propriétés électriques du transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium et caractérisation de l'interface entre la couche active et le substrat semi-isolant

Rossel, P.; Tranduc, H.; Graffeuil, J.; Azizi, Cherifa; Nuzillat, G.; Bert, G.

doi:10.1051/rphysap:019780013010050300

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“…Prior to the technological process, logic cell behavior was simulated at 77K, in the' time domain, using a non-linear GaAs MESFET model which had previously been validated at 300K [3,4]. Algebraic equations for non-linear elements in the model (Fig.…”

Section: Logic Cell Designmentioning

confidence: 99%

Cryogenic GaAs Integrated Circuits Using a Lightly Doped GaAs FET Structure

Kamdem

Henry

Klein³

et al. 1986

High-Speed Electronics

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Section: Logic Cell Designmentioning

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Cryogenic GaAs Integrated Circuits Using a Lightly Doped GaAs FET Structure

Kamdem

Henry

Klein³

et al. 1986

High-Speed Electronics

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Effets liés à la présence de centres profonds dans une structure du type TEC au GaAs avec buffer

Dansas

1980

Phys. Stat. Sol. (a)

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Des mesures de courants de drain, statiques et transitoires, sont effectuées sur des structures de type transistor à effet de champ avec buffer et obtenues par épitaxie en phase vapeur sur substrat semi‐isolant dopé au chrome. Les effets d'une irradiation infrarouge sélective ainsi que d'une polarisation du substrat ou du buffer par rapport à la couche active sont étudiés. Quatre pièges profonds sont ainsi détectés – deux à trous, deux à électron – en majorité localisés au voisinage de l'interface buffer‐substrat. Dans cette région, les pièges peuvent changer d'état de charge avec la température, et échanger des charges entre eux à température fixe.

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