2011
DOI: 10.1134/s1063782611010192
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Influence of dislocations on the process of pore formation in n-InP (111) single crystals

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
1
1
1

Citation Types

0
9
0
2

Year Published

2015
2015
2024
2024

Publication Types

Select...
6
3

Relationship

0
9

Authors

Journals

citations
Cited by 24 publications
(13 citation statements)
references
References 10 publications
0
9
0
2
Order By: Relevance
“…Великі перспективи наноматеріялів вбачаються у їх використанні для створення надчутливих сенсорів [8]. Зокрема, це стосується поруватих напівпровідників [9], поверхня і об'єм яких пронизані по-рами, що можуть слугувати пасткою для йонів газів або променів світла визначеної довжини. Поруваті напівпровідники знайшли широке застосування і як буферні шари для створення на основі напівпровідників нітридів [10].…”
Section: вступunclassified
See 1 more Smart Citation
“…Великі перспективи наноматеріялів вбачаються у їх використанні для створення надчутливих сенсорів [8]. Зокрема, це стосується поруватих напівпровідників [9], поверхня і об'єм яких пронизані по-рами, що можуть слугувати пасткою для йонів газів або променів світла визначеної довжини. Поруваті напівпровідники знайшли широке застосування і як буферні шари для створення на основі напівпровідників нітридів [10].…”
Section: вступunclassified
“…Зразки, які відповідають встановленим вимогам якости, та рецептурні й технологічні умови їх синтези. 9 № зразка Тривалість щавлення t, хв. враховує всі визначальні показники поруватої поверхні.…”
Section: висновкиunclassified
“…According to official data of the StatNano website, in 2016, the Office for patents and trademarks of the United States granted 8484 patents in the field of nanoindustry [2]. Nanomaterials are widely used as basic material for photovoltaic converters [3,4], lasers and LEDs [5,6], buffer layers for making heterostructures [7], etc.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…In addition, the nanostructures based on the semiconductor group A3V5 [10,11] and A2V6 [12] are increasingly considered as the material for solar elements. But still there is no unified mechanism to obtain nanostructured semiconductor layers with the assigned properties.…”
Section: Literature Review and Problem Statementmentioning
confidence: 99%