Influence of film structure on the electron energy loss spectra of GaAs thin films

Abstract

Energy loss nieasurements of fast electrons on GaAs yielded values for the plasma 0s-cillation, interband transitions and the dielectric function in the region 5 -30 ev. The results are discussed in comparison with literature statements. It is dealt especially with the influence of the degree of crystallinity of examined GaAs-films on the energy loss spectrum and the quantities derived from it.Energieverlustmessungon schneller Elektronen an GaAs lieferten Daten fur die Plasmaschwingung, Interbandubergiinge und die dielektrische Funktion im Bereich 5 -30 eV. Die Resultate werden im Vergleich niit Literaturangaben diskutiert. Besonders wird eingegangen auf den EinfluR des Kristallinitiitsgrades der untersuchten GaAs-Schichten auf das Energieverlustspektrum sowie die daraus abgeleiteten GroRen.