Energy loss measurements on amorphous and polycrystalline Be0 thin films are performed applying 26 keV electrons. From the energy-dependent loss function Im (-1/e) the dielectric function and its first energy derivative, the reflectance, neff, +EZ up to 44 eV are computed using the Kramers-Kronig-analysis and well-known formulae. The results obtained on polycrystalline Be0 are discussed with respect to band structure information. The corresponding spectra of amorphous Be0 are compared with those of the polycrystalline material.Mittels 25 keV-Elektronen werden Energieverlustmessungen an dunnen amorphen und polykristallinen BeO-Schichten durchgefuhrt. Ausgehend von der energieabhiingig bestimmten Verlustfunktion Im (-1 /~) werden die dielektrische Funktion und ihre erste Ableitung nach der Energie, der Reflexionskoeffizient, neff und cZE2 mittels der Kramers-Kronig-Analyse und bekannter Formeln bis zu 44 eV berechnet. Die Ergebnisse an polykristallinem Be0 werden hinsichtlich ihrer Information uber die Bandstruktur des Be0 diskutiert. Die Spektren des amorphen Be0 werden mit denen des polykristallinen Materials verglichen.

Electron BYUsing 40 keV electrons electron-energy-loss measurements are performed on amorphous, polycrystalline y-and ct-;U,O, thin films. From the electron-energy-loss spectra measured in the energy range up t,o 40 eV the energy-dependent energy loss function Im( -cA1) is derived. The dielectric function, optical constants, and n&E) are computed using the Kramers-Kronig analysis and wellknown formulae. The quantity E,E is compared with a simple joint density of states model.Es werden Elektronen-Energie-Verlust-Yessungen mit 40 keV-Elektronen an diinnen amorphen, polykristallinen y-und a-8l20,-Schichten durchgefiihrt. Aus den bis 40 eV gemessenen ElektronenEnergie-Verlust-Spektren wird die Energieverlustfunktion Im( -c-l) energieabhiingig bestimmt. Mittels der Kramers-Kronig-Bnalyse und bekannter Formeln werden die dielektrische Funktion, die optischen Konstanten sowie die Grof3e n,E(E) berechnet. Der Verlauf von E$E wird mit einem einfachen Modell der kombinierten Zustandsdichte verglichen.

No abstract

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As MMICs become more widespread in commercial appllcations the costs of production gain increased attention. For the MMIC-Designer it is important to reduce the chip size, while keeping the electrical characteristics. To demonstrate which size reduction is possible using lumped elements, this paper documents the comparison of a distributed and a lumped element MMIC K-band amplifier in coplanar line technique. The distributed element amplifier is a two-stage design and needs a size of 3 mm2. In the frequency range from 18 to 20 GHz the gain is more than 12 dB. The lumped element amplifier is a three-stage design, which has a size of 1 mm2. For the same frequency range the gain is more than 23 dB.