Investigation of Angular Spectrum of Scattered Inert Gas Ions from the InGaP (001) Surface

Abstract

It has been shown that this method is quite suitable for surface studies and diagnostics of many component materials. The values of the azimuthal angle of distribution of Ne, Ar and Xe ions scattered from InGaP (001) <110> are obtained. The relationship between the spatial variables of the scattered beam (mainly azimuthal angular spectra) and the type of ions has been established. The correlation between focusing properties of surface semichannel with a type of bombardment ion at the different angle of incidence has been shown. 

Cпектроскопия Полного Тока Окисленного Кремния

“…Так, в последнее время, благодаря созданию квантово-размерных структур на кремнии [3][4][5] преодолена трудность его использования в фотоэлектронике из-за низкой вероятности излучательной рекомбинации [6][7], и тем самым получен новый импульс его широкого применения в названных областях науки и техники [8]. В производстве кремниевых интегральных схем, кроме качества структуры поверхности, большое значение имеет выбор кристаллографической ориентации кристаллов-подложек, например, плоскости (111) окисляются быстрее, чем плоскости (100), вследст вие большой поверхностной плотности упаковки атомов [9][10][11], способных вступать в реакцию окисления [12]. Степень очистки оказывает непосредственное влияние на качество продукции, поэтому все больше микроэлектронных компаний прилагают усилия в этом направлении [13][14][15][16][17].…”