Lebensdauermessungen an Resonanzzuständen im ²⁸Si‐Compoundkern mittels Schatten‐Effekt

Abstract

Inhaltsubersicht. Unter Anwendung des Schatten-Effektes und der Resonanzreaktion mAl(p, a) 24Mg an einkristallinen, dicken Al-Targets wurden fur drei Resonanzenergien Ep(keV) die Lebensdauern t(as) der entsprechenden Anregungszustande E* (MeV) des Compoundkernes **Si gemessen und die zugehorigen Breiten I ' (eV) berechnet: 1365 1"Wl 2f <1 > 350 1439 12,974 1-9 f 4 + 23 74 -60 + 14 1647 13,173 3-1 8 i 5 37-8 Als Target dienten (110)-orientierte Al-Einkristalle. Die Registierung der a-Teilchen erfolgte mit gmBflachigen Festkorperspurdetektoren. Aufgenommen wurden die Winkelverteilungen der a-Teilchen um zwei (110)-Achsen des Al-Targets, die zur EinschuBrichtung der Protonen unter 75" bzw. -1 G F einjustiert waren. Zur Auswertung wurden die Differenzen der Minimumausbeuten-Axmin = xmin (yt = 75') -xmin ( y = -165") und die VerhLltnisse der Dip-Volumina R = Q,(y = i 5 O ) (bis 70% der Randomausbeute) herangezogen. .I?N(v == -165") Abstract. The crystal blocking technique has been used to measure the lifetimes of following three levels in the ZBSi compoundnuclei: 12,901 MeV, 2+; 12,974 MeV, 1and 13,173 MeV, 3excited in the "Al(p, a) *Wg resonance reaction at E,, = 1365 keV, 1439 keV and 1647 keV, respectively. The (110) axial blocking effect in thick A1 single crystals has been investigated. Two methods of extracting the lifetime, involving analytical calculations, are compared. The results obtained from both methods of analysis agree, the avarage values of the lifetimes are < 1 as, (9 & 4) as and (18 & 5) as, respectively. Lebensdauermessungen an Resonanmiistiinden i m 88Si-Compoundkern 299