Long wavelength superluminescence from narrow gap HgCdTe epilayer at 100 K

Abstract

Articles you may be interested inTime resolved photoluminescence spectroscopy of narrow gap Hg1−xCdxTe/CdyHg1−yTe quantum well heterostructures Appl. Phys. Lett. 105, 022102 (2014); 10.1063/1.4890416Infrared photoluminescence of arsenic-doped HgCdTe in a wide temperature range of up to 290 K Experimental evidence of long wavelength superluminescence (SL), i.e., amplification of spontaneous emission, in narrow gap HgCdTe bulk epitaxial film at 100 K is reported. Photoluminescence line narrowing is observed at 8.4 lm as pump power increases. However, plasmonic contribution to dielectric function is shown to be detrimental for light confinement at high pumping intensities, limiting the SL line intensity growth. The design of the structures optimal for obtaining stimulated emission in 10-36 lm range is further discussed. V C 2015 AIP Publishing LLC. [http://dx.

Electron-beam-sustained discharge revisited — light emission from combined electron beam and microwave excited argon at atmospheric pressure

“…Measurements of the electron beam excited volume are discussed for neon and nitrogen in ref. [12] and are consistent with model calculations with the software Casino [13,14]. The ionization of the gas caused by the electron beam leads to a mean electron density in the irradiated gas volume of about 10 11 to 10 12 cm -3 in the case of argon.…”

Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe

“…При накачке CO 2 -лазером в качестве фильтра использовалось входное окно спектрометра из полиметилпентена (TPX). Излучение собиралось с торца образца, так как направление, перпендикулярное оси роста структуры, оптимально для усиления [22]. При измерениях ФЛ использовалась конфигурация, при которой возбуждение осуществлялось под углом 45 • к оси роста структуры, а излучение собиралось с поверхности образца.…”

Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe

“…Спектрометр работал в режиме пошагового сканирования, а сигнал ФЛ детектировался с помощью фотоэлектрического HgCdTe приемника Kolmar Technologies D317. За деталями эксперимента можно обратиться к работе [15]. Для накачки использовался Nd : YAG лазер, сопряженный с параметрическим генератором света фирмы Solar (Минск, Беларусь).…”

“…Помимо объемных слоев с низкой темновой концентрацией носителей (∼ 10 14 cм −3 ) МЛЭ может использоваться для получения гетероструктур с квантовыми ямами (КЯ) на основе узкозонных твердых растворов КРТ [11]. Высокое оптическое качество эпитаксиальных структур на подложках GaAs (013) подтверждено исследованиями фотопроводимости (ФП) и фотолюминесценции (ФЛ) в среднем и дальнем ИК диапазонах [12][13][14][15][16][17][18]. Твердый раствор КРТ позволяет варьировать ширину запрещенной зоны от 0 до 1.6 эВ, а частота оптических фононов в нем сдвинута в низкочастотную область по сравнению с A III B V материалами.…”