Low Frequency Noise in Cmos Transistors: An Experimental and Comparative Study on Different Technologies

From microelectronics to nanoelectronics

“…Уменьшение линейных размеров требует и уменьшения толщины оксида. Исследования на ряде приборов с различной технологией изготовления показали, что уменьшение толщины оксида от 16 нм до 3,5 нм уменьшает приведенное значение СПМШ почти в 4 раза [20]. В то же время, замена двуокиси кремния на оксинитрид, обладающий лучшими диэлектрическим характеристиками, в МОП транзисторе с L = 0,18 мкм и толщиной диэлектрика 3,5 нм, как и ожидалось, привело к повышению шумового сигнала при 10 Гц на порядок, так как концентрация ловушек в оксинитриде значительно выше [21].…”