2015
DOI: 10.1134/s1063782615030215
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Molecular-beam epitaxy of heterostructures of wide-gap II–VI compounds for low-threshold lasers with optical and electron pumping

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
3
1
1

Citation Types

1
9
0
2

Year Published

2016
2016
2019
2019

Publication Types

Select...
9
1

Relationship

0
10

Authors

Journals

citations
Cited by 18 publications
(12 citation statements)
references
References 20 publications
1
9
0
2
Order By: Relevance
“…Проте, в останні роки цей інтерес помітно зріс за рахунок можливого застосування нанокристалів (НК) CdS в мікроелектроніці і оптоелектроніці, зокрема в світлодіодах, лазерах, датчиках, фотоелектричних пристроях, фотоелектричних перетворювачах, сонячних елементах, елементах пам'яті і т. д. [3][4][5][6][7].…”
Section: вступunclassified
“…Проте, в останні роки цей інтерес помітно зріс за рахунок можливого застосування нанокристалів (НК) CdS в мікроелектроніці і оптоелектроніці, зокрема в світлодіодах, лазерах, датчиках, фотоелектричних пристроях, фотоелектричних перетворювачах, сонячних елементах, елементах пам'яті і т. д. [3][4][5][6][7].…”
Section: вступunclassified
“…In such cases, the tetragonal deformations are well defined. As an example of multi-beam diffraction application we have calculated fragments of multi-beam scans for heterostructures and wide-gap multi-layered II-VI compounds that are promising for the manufacture of optoelectronic devices in the green and green-yellow spectral range (Sorokin et al, 2015). Several issues arising in this research should be mentioned:…”
Section: Application Of Mbxrd Calculation Proceduresmentioning
confidence: 99%
“…The Cd content in these islands was found to vary from 20% to 80% [3][4][5]. The development of molecular beam epitaxy (MBE) during the last decade has led to fabrication of efficient II-VI lasers pumped optically or by electron beam, where the array of CdSe/ZnSe QDs serves as an active region [6,7]. A single-photon source operating at 220 K exploited the CdSe/ZnSe QD inserted in a nanowire to select a single excitonic line [8].…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%