New metalorganic gallium precursors for the growth of GaAs and AlGaAs by CBE

Avaliação De Precursores Para Crescimento De Gainnas Pela Técnica Movpe Para Fabricação De Células Solares

“…Portanto, o objetivo principal desse projeto é identificar quais parâmetros influenciam a incorporação do carbono no GaInNAs para minimizar a contaminação residual do carbono. Para isso, são testados os diferentes parâmetros de crescimento a partir de precursores completamente isentos de metil, tais como tri-isopropil-índio (TIPIn), tri-terc-butil-gálio (TTBGa), tri-etil-gálio (TEGa), juntamente com terc-butil-arsina (TBAs) e terc-butil-hidrazina (TBHy (Dock/Chemicals 2016b;FitzGerald et al 1992;Jones et al 1992;Nattermann et al 2015), o índio (Chen et al 1993;Freer et al 1996;Irvine et al 1993;Vanchagova et al 1976), o nitrogênio (Ptak et al 2002;Sterzer et al 2016;Dock/Chemicals 2016a;Nishide et al 1998;Pohl et al 1999;Volz et al 2004) e o arsênio (Chen et al 1987;Dock/Chemicals 2015;Hakkarainen et al 2004;Nattermann et al 2015;Tang et al 2001;Volz et al 2004). Porém, até o momento, os precursores propostos neste trabalho para o crescimento de GaInNAs nunca foram utilizados simultaneamente.…”

“…pesquisadores tentaram melhorar a qualidade do GaInNAs, e as pesquisas estão centradas em comparar diferentes precursores para cada material.Como por exemplo o TMGa e o TEGa(Volz et al 2007), ou o TTBGa e o TIBGa(FitzGerald et al 1992), ou o TIPGa e o TTBGa(Jones et al 1992). Estudos relataram uma incorporação extremamente baixa do carbono quando GaAsBi/GaAs é crescido usando TTBGa como precursor do gálio(Nattermann et al 2015).…”