Ni-B/hBN katkılı TMAB ve sakarinli kaplama malzemelerinde Ni için X-ışını floresans parametrelerinin ve valans elektronik yapısının incelenmesi

Abstract

Bu araştırmada, Ni-B alaşımlı kaplamalarda Ni'nin K kabuğu değerlik elektronik yapısı, X-ışını emisyonu ve XRD spektrumları toplanarak incelenmiştir. Elde edilen veriler K beta/K alfa X-ışını yoğunluk oranları ve XRD verileri açısından değerlendirildi. Kaplanmış alaşımlar, bu çalışma için farklı konsantrasyonlarda altıgen bor nitrür (hBN) kullanılarak elektrokimyasal depolama yöntemiyle üretilmiştir. Mevcut örneklere sabit konsantrasyonda sakarin ve trimetilamin boran kompleksi (TMAB) ilave edildi. Mevcut örnekler, 241 Am halka şeklindeki radyoaktif kaynaktan gelen 59.5 keV fotonları tarafından uyarıldı. Örneklerden yayılan K kabuk X-ışınları, 5,9 keV'de 150 eV çözünürlüğe sahip bir Ultra-LEGe dedektörü vasıtasıyla tespit edildi. Ni-B alaşımlarının K kabuğu X-ışını yoğunluk oranları saf Ni ile kontrol edildi. Mevcut sonuçlardaki değişimler, katkılı TMAB ve sakarin içeren Ni-B/hBN kaplama malzemelerinde Ni'nin değerlik elektronik yapılarındaki değişim ile yorumlanmıştır.

Çi̇nko-Ni̇kel Alaşim Kaplama Atiksularinin Ki̇myasal Aritabi̇li̇rli̇ği̇ni̇n Araştirilmasi

“…Çinko-nikel alaşım kaplama elektrolitik (elektro kaplama) uygulanan bir prosestir. Elektro kaplama uygulanan potansiyel ya da akım vasıtası ile iletken bir taban malzeme üzerine metal filminin biriktirilmesi olarak tanımlanabilir (Yüksel, 2007). Kullanım kolaylığı, düşük maliyet ve kaplama hızının yüksek olması gibi etkenlerden dolayı elektro kaplama metal alaşım üretimi için en uygun yöntemlerden biridir.…”