Optical and Electrical Properties of CuIn₅S₈ and AgIn₅S₈ Single Crystals

Abstract

The energy gaps at 300 and 96 K of CuIn5S8 and AgIn5S8 single crystals were determined from the optical absorption measurements. The peaks of the photoconductive spectra observed at 300 and 77 K were in good agreement with the energy gaps. The resistivity and the mobility for the samples with less sulphur than the stoichiometric one were determined from the electrical measurements.

Donor-acceptor pair recombination in AgIn5S8 single crystals

“…The optical and electrical properties of AgIn 5 S 8 have been studied for photovoltaic applications. 2,3 The energy band gaps of AgIn 5 S 8 for the indirect optical transitions are 1.80 eV at 300 K and 1.90 eV at 96 K. These energy band gaps can be used in photovoltaic solar cell applications. Infrared ͑IR͒ reflection and Raman scattering spectra of AgIn 5 S 8 have also been investigated and analyzed.…”

Твердые растворы (FeIn-=SUB=-2-=/SUB=-S-=SUB=-4-=/SUB=-)-=SUB=-x-=/SUB=-·-0.8pt(AgIn-=SUB=-5-=/SUB=-S-=SUB=-8-=/SUB=-)-=SUB=-1-x-=/SUB=-: кристаллическая структура, ядерные гамма-резонансные спектры и ширина запрещенной зоны

“…Указанные соединения кристаллизуются в кубической структуре шпинели и являются перспективными материалами для создания на их основе приборов различного назначе-ния: модуляторов света, диодов Шоттки, переключате-лей, лазеров, управляемых магнитным полем, и других устройств [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10].…”

“…Ширину запрещенной зоны (E g ) определяли экстрапо-ляцией прямолинейных участков зависимости (α ω) 2 от энергии фотона ( ω) до пересечения с осью абсцисс.…”

Монокристаллы Mn-=SUB=-0.1-=/SUB=-Ag-=SUB=-0.9-=/SUB=-In-=SUB=-4.7-=/SUB=-S-=SUB=-7.6-=/SUB=-: кристаллическая структура, ширина запрещенной зоны и тепловое расширение

“…Кристаллы указанного соединения перспектив-ны для создания широкополосных фотопреобразовате-лей естественного излучения, электрооптических моду-ляторов, солнечных элементов, светодиодов линейно-поляризованного излучения и других устройств микро-и оптоэлектроники [1][2][3][4].…”

“…Тройное соединение MnIn 2 S 4 относится к классу маг-нитных полупроводников типа MB III -Ga, In, Al, C VI -S, Se [1][2][3]. Как и AgIn 5 S 8 , ука-занное соединение также кристаллизуется в кубической структуре (тип шпинели) и является перспективным материалом для создания на его основе различных функциональных устройств, управляемых магнитным полем [5][6][7][8].…”