Optimizing the Operation of Photovoltaic Panel Systems

Maximum Power Point Tracker Optimization for Photovoltaic Systems based on III-V Elements

“…These cells consist of semiconductive material doped in a single junction, like a diode. Different materials can be used and combined to achieve a similar channel, with distinct properties such as III and V materials [7,17]. Elements such as Cu, Zn, Cd, Al, Ga, In, Si, Ge, P, As, Sb, S, Se and Te are considered semiconductor materials, therefore a P or N junction can be generated when combining these elements in a substrate base.…”

“…There are several classifications for photovoltaic cells with a silicon base, such as monocrystalline, polycrystalline, thin film and half cut. These classifications are typically related to the manufacturing process and homogeneity of the silicon layer within the cell arrangement [12,17,27]. Each type of solar panel sharing the same base material has a similar I/V curve and frequency response.…”

Metode Maximum Power Point Tracking pada Panel Surya : Sebuah Tinjauan Literatur

“…Peningkatan tingkat emisi gas rumah kaca dan biaya bahan bakar adalah alasan utama di balik upaya untuk menggunakan berbagai sumber energi terbarukan [1], [2]. Di antara berbagai sumber energi berkelanjutan, energi matahari merupakan salah satu yang cocok karena bersih, bebas emisi dan mudah diubah langsung menjadi listrik dengan memanfaatkan sistem photovoltaic (PV) [3].…”

“…Rangkaian ekivalen panel surya [11] Model ekuivalen dari photovoltaic dapat ditunjukan pada Gambar 1 [11], di mana sebuah sel photovoltaic dimodelkan sebagai sumber arus yang diparalel dengan dioda, dan memiliki tahanan seri dan tahanan paralel terhadap bias diode. Dari Gambar 1 bisa didapatkan persamaan ekivalen photovoltaic sebagaimana Persamaan (1).…”

Basic principles of solar energy

“…Cuando un fotón de la luz es absorbido por un semiconductor, si su energía es mayor que la energía de la banda prohibida de ese semiconductor, un electrón en la banda de valencia se excitará en la banda de conducción para formar un par electrón-hueco adicional. En este caso, se puede aumentar la conductividad del semiconductor, pero después de un período de tiempo muy corto, el electrón excitado perderá su energía y se recombinará con un agujero para que no se pueda generar electricidad útil [19].…”