Photoluminescence of disordered ABO3 perovskites

Pizani, P. S.; Leite, E. R.; Pontes, F. M.; Paris, E. C.; Rangel, J. H. G.; Lee, Eduardo J. H.; Longo, Elson; Delega, P.; Varela, José Arana

doi:10.1063/1.1306663

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“…5 ilustram que os dados são consistentes com a interpretação da absorbância óptica, ou seja, o "gap" visível da banda é controlado pelo grau de desordem estrutural e térmica da amostra do CW. Neste trabalho, o modelo está baseado na transferência de elétrons dos oxigênios para os íons W 4+ [12,13]. Assim sendo, os resultados obtidos nos cálculos teóricos indicam que na formação do "cluster" amorfo, por intermédio da deformação da ligação do oxigênio O(18), há introdução de níveis eletrônicos delocalizados na região entre a banda de valência e de condução.…”

Section: Resultsunclassified

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O papel dos modificadores de rede na produção da fotoluminescência no CaWO4

et al. 2004

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INTRODUÇÃOO desenvolvimento de materiais semicondutores, com propriedades ópticas ativas como fotoluminescência (FL), eletroluminescência, ou propriedades ópticas não lineares pode conduzir a novos dispositivos com desempenho superior ou a diferentes modos de atuação [1,2]. Neste sentido, tem havido atualmente um interesse muito grande, no estudo da FL, em materiais amorfos ou materiais não estruturados. Isso é confirmado pelo intenso esforço de pesquisa, que vem sendo feito no estudo de vários tipos de FL visível, em temperatura ambiente, como por exemplo no caso do silício poroso [3]. ResumoDiscutiu-se a fotoluminescência para o tungstato de cálcio amorfo, observada à temperatura ambiente. Verificou-se que há concordância entre os resultados experimentais e teóricos. Neste trabalho foram simuladas as estruturas cristalinas e amorfas do tungstato de cálcio (CaWO 4 ), comparando-se as respectivas estruturas eletrônicas. Os resultados dos cálculos teóricos indicam a formação de novos níveis de energia na banda de valência e de condução do amorfo. Estes níveis eletrônicos extras são os responsáveis pela formação da cauda na curva do espectro de absorção. Correspondentemente, medidas experimentais de absorção óptica mostraram a presença da cauda, com relação ao espectro do cristalino. Desta forma, pode-se interpretar a formação da cauda, como sendo associada aos defeitos promovidos na estrutura desordenada do material amorfo. Palavras-chave: fotoluminescência, processamento químico, mecânica quântica. Abstract

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Section: Resultsunclassified

“…Materiais com estas características ópticas podem apresentar estas propriedades FL [10,11]. Como no caso dos tungstatos amorfos, várias propriedades interessantes de perovsquitas têm sido relatadas, inclusive mostrando que o comprimento de onda emitido está relacionado ao comprimento de onda incidente [12][13][14][15][16].…”

Section: Introductionunclassified

O papel dos modificadores de rede na produção da fotoluminescência no CaWO4

et al. 2004

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“…The peaks observed in the starting powder relate to the characteristic Raman scattering of this material. The PL reported in earlier articles 5,10 and observed in the chemically prepared amorphous PbTiO 3 was associated with a nonuniform band-gap structure with a tail of localized states and possible mobile edges. This photoluminescence in chemically prepared amorphous PbTiO 3 is believed to be associated with a radiative recombination between trapped electrons and trapped holes in tail and gap states.…”

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confidence: 91%

“…The chemically prepared PbTiO 3 showed a peak wavelength at about 600 nm when excited with 488.0 nm. 5,10 The starting powder showed no emission peak. The peaks observed in the starting powder relate to the characteristic Raman scattering of this material.…”

mentioning

confidence: 99%

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Photoluminescence of nanostructured PbTiO3 processed by high-energy mechanical milling

Leite

Santos

Carreño

et al. 2001

Applied Physics Letters

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This letter reports on a process to prepare nanostructured PbTiO3 (PT) at room temperature with photoluminescence (PL) emission in the visible range. This process is based on the high-energy mechanical milling of ultrafine PbTiO3 powder. The results suggest that high-energy mechanical milling modifies the particle’s structure, resulting in localized states in an interfacial region between the crystalline PT and the amorphous PT. These localized states are believed to be responsible for the PL obtained with short milling times. When long milling times are employed, the amorphous phase that is formed causes PL behavior. An alternative method to process nanostructured wide-band-gap semiconductors with active optical properties such as PL is described in this letter.

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Correlation between the surface morphology and structure and the photoluminescence of amorphous PbTiO3 thin films obtained by the chemical route

Pontes

Leite

Longo

et al. 2000

Adv. Mater. Opt. Electron.

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A polymeric precursor method was used to synthesis PbTiO 3 amorphous thin film processed at low temperature. The luminescence spectra of PbTiO 3 amorphous thin films at room temperature revealed an intense single-emission band in the visible region. The visible emission band was found to be dependent on the thermal treatment history. Photoluminescence properties versus different annealing temperatures were investigated. The experimental results (XRD, AFM, PL) indicate that the nature of photoluminescence (PL) must be related to the disordered structure of PbTiO 3 amorphous thin films.

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Photoluminescence of disordered ABO3 perovskites

Abstract: Articles you may be interested inCharacteristics of metal-ferroelectric-insulator-silicon structures with ferroelectric ( Pb 0.8 Ba 0.2 ) Zr O 3 thin films and ( Ba 0.5 Sr 0.5 ) Ti O 3 buffer layer

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O papel dos modificadores de rede na produção da fotoluminescência no CaWO4

O papel dos modificadores de rede na produção da fotoluminescência no CaWO4

Photoluminescence of nanostructured PbTiO3 processed by high-energy mechanical milling

Correlation between the surface morphology and structure and the photoluminescence of amorphous PbTiO3 thin films obtained by the chemical route

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