Pores in III–V Semiconductors

Abstract

The paper reviews electrochemically etched pores in III–V compound semiconductors (GaP, InP, GaAs) with emphasis on nucleation and formation mechanisms, pore geometries and morphologies, and to several instances of self‐organization. Self‐ organization issues include the formation of single‐crystalline two‐dimensional hexagonal arrays of pores with lattice constants as small as 100 nm found in InP, synchronized and unsynchronized diameter oscillations coupled to current and voltage oscillations, and pore domain formation. The findings are discussed in relation to pores observed in silicon. Some novel properties of the porous layers obtained in III–V compounds are briefly described.

Аноды для литий-ионных аккумуляторов на основе p-Si с самоорганизующимися макропорами

“…Современное состояние вопроса и предложенные модели отражены в рабо-тах [11][12][13]. Макропоры в p-Si можно получить как в водных, так и в органических электролитах, содержащих плавиковую кислоту (HF): диметилформамиде (ДМФ), пропиленкарбонате, диметилсульфоксиде, ацетонитриле.…”

“…Рост валентности также свидетельствует об увеличении вклада процесса электрополировки. Усиление анизотро-пии обусловлено переходом от порообразования, при котором макропоры ориентируются вдоль линий тока (current oriented), к порам, ориентированным преиму-щественно вдоль определенного кристаллографического направления (crystal oriented) [11,12], в нашем слу-чае 100 .…”

INVESTIGATION OF InP GROWTH BANDS BY SELECTIV ELECTROCHEMICAL ETCHING

“…Íåëüçÿ íå óïîìÿíóòü î âîçðàñòàþùåì èíòåðåñå ê ïîðèñòîìó ôîñôèäó èíäèÿ, êîòîðûé îáëàäàåò íåîáû÷íûìè îïòè-÷åñêèìè è ýëåêòðè÷åñêèìè ñâîéñòâàìè ïî ñðàâ-íåíèþ ñ ìîíîêðèñòàëëè÷åñêèì. Ýòîìó âîïðîñó ïîñâÿòèëè ñâîå âíèìàíèå íåìàëî ó÷åíûõ [1][2][3][4][5][6][7].…”

Self-Organized Growth of Crystallographic Macropores in Multicrystalline Zn by Nanoscale Sculpturing

“…2 After the parallel discovery of luminescence of porous Si by Canham 3 and Lehmann 4 research activities in the field of pore growth in semiconductors by electrochemical etching received a tremendous boost [5][6][7][8][9][10][11][12] which still continues. [13][14][15] In semiconductors two basic pore types have been observed, currentline-oriented pores and crystallographicallyoriented pores.…”