2021
DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.149156
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Pressure-assisted sinter bonding method at 300 °C in air using a resin-free paste containing 1.5 μm Cu@Ag particles

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“…Ag 코팅 Cu(Cu@Ag) 입자는 순수 Ag 입자를 대체하는 저가격 소재로 경화형 도전성 페이스트의 필러(filler) 또는 최근 반도체 칩의 소결접합을 위한 페이스트 및 프리폼 (preform)의 필러 소재로 연구되고 있다 [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11][12]. 즉, 이러 한 입자는 Cu의 저가격 특성과 우수한 전기 및 열전도도, Ag의 내산화 특성과 우수한 전기 및 열전도도의 장점만을 취하고자 개발된 것으로 순수 Cu의 산화 거동을 억제시켜 줄 것으로 기대된다.…”
Section: 서 론unclassified
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“…Ag 코팅 Cu(Cu@Ag) 입자는 순수 Ag 입자를 대체하는 저가격 소재로 경화형 도전성 페이스트의 필러(filler) 또는 최근 반도체 칩의 소결접합을 위한 페이스트 및 프리폼 (preform)의 필러 소재로 연구되고 있다 [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11][12]. 즉, 이러 한 입자는 Cu의 저가격 특성과 우수한 전기 및 열전도도, Ag의 내산화 특성과 우수한 전기 및 열전도도의 장점만을 취하고자 개발된 것으로 순수 Cu의 산화 거동을 억제시켜 줄 것으로 기대된다.…”
Section: 서 론unclassified
“…즉, 이러 한 입자는 Cu의 저가격 특성과 우수한 전기 및 열전도도, Ag의 내산화 특성과 우수한 전기 및 열전도도의 장점만을 취하고자 개발된 것으로 순수 Cu의 산화 거동을 억제시켜 줄 것으로 기대된다. 그러나 Cu@Ag 입자의 내산화 특성 은 200 o C 부근에서 파괴되는 것으로 보고되어 예상보다 좋지 않은 것으로 분석되고 있는데 [4], Ag와 Cu간 약 11%에 이르는 격자 불일치(lattice mismatch) [13,14], 양 (+)의 혼합 엔탈피(mixing enthalpy) 값 [15][16][17], 적은 전 기음성도 차이 [18] 등으로 인한 계면 불안정으로 Ag 코 팅층이 dewetting되기 때문이다 [4,6,7,9,11,14,[19][20][21] [28,29].…”
Section: 서 론unclassified