Properties of SiC Films Obtained by the Method of Substitution of Atoms on Porous Silicon

Abstract

The paper is devoted to the growth of thin SiC films by the method of substitution of atoms on macro-and mesoporous substrates of p-and n-type silicon of (100) orientation. On the mesoporous Si (100) substrates polycrystalline 3C-SiC films were formed, the crystallite size determined from XRD patterns was 27.5 nm. The obtained structures are studied by the methods of scanning electron and atomic-force microscopy, micro-Raman spectroscopy and X-ray diffraction analysis.

Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/por-Si/c-Si

“…7, a, b, глубина пористой области значительно больше в темплейте, в котором был предварительно сформирован слой пористого кремния. Этот результат, как и ранее полученные результаты по росту SiC на пористом кремнии [32,33], однозначно подтверждает модель формирования SiC посредством дрейфового, а не чисто диффузионного механизма массопереноса молекул CO по каналам в Si [34]. Как и следует из [34], образование дополнительных, предварительно сформированных в кремнии каналов приводит к их дополнительному ветвлению в Si в процессе синтеза SiC в атмосфере CO и увеличению их плотности.…”

Properties of the ZnO Films Obtained on Mesoporous Si Substrates by means of a Magnetron Sputtering

“…Також ми одержали монокристалічні плівки карбіду кремнію на підкладинках мезопоруватого кремнію методою хемічного заміщення атомів [16]. Експериментально і теоретично з використанням програмного пакета Comsol MultiPhysics було показано, що механічні напруження при наявності поруватого буферного шару складають 65 MПa, при відсутності буферного шару механічні напруги значно вище і становлять 125 MПа [17]. Íа одержаному темплейті SiC/porous-Si/Si методою хлорид-гідридної епітаксії одержані якісні плівки GaN [18].…”

Structural and optical properties of ZnO films obtained on mesoporous Si substrates by the method of HF magnetron sputtering

“…We previously obtained single-crystal films of silicon carbide on mesoporous silicon substrates by the HVPE method (chemical substitution) [8]. The mechanical stresses of the structure were calculated experimentally and theoretically using the Comsol MultiPhysics software package.…”