Riesenmagnetowiderstand — Transfer in die Anwendung

Abstract

Die Entdeckung des Riesenmagnetowiderstands löste eine fieberhafte Forschungsaktivität bei nanoskaligen, magnetischen Schichtsystemen aus, die bereits zu ersten Anwendungen bei der Sensorik und der Informations‐ und Speichertechnologie geführt hat. „Spintransistoren”︁ könnten in der Zukunft den Grundstein für eine neue Nanoelektronik, die „Magnetoelektronik”︁, legen.

Nano‐Engineering für nichtflüchtige ferroelektrische Speicher

“…Die wichtigsten Typen nichtflüchtiger Speicherbausteine basieren auf ferromagnetischen und ferroelektrischen Materialien. Sie werden als magnetic random access memories, MRAMs [1] und ferroelectric random access memories, FRAMs [2], bezeichnet. Zurzeit haben die FRAMs einen Entwicklungsvorsprung gegenüber den MRAMs.…”