Showcasing electrode-electrolyte interfacial potential as a vital parameter in the hydrogen generation by metal oxides electrodes

Z-Scheme Heterostructures Using Band-Gap-Tunable ZnO by Metal Doping and Coupling with Polypyrrole for Enhanced Photocatalytic Water Splitting

“…The Mott–Schottky (MS) plot of pure PPy, ZnO, and NHs displays the positive characteristic slope in the MS plot, confirming the n-type behavior of ZnO, and the negative slope of PPy corresponds to p-type (Figure b). The more negative flat band potential indicates the greater ability of the photoelectrode to split water . Markedly, the conjunctional presence of both positive and negative slopes with a “V” shape and two flat band potential values (−1.28 and 1.19 V vs Ag/AgCl) have been observed for ZnO:Bi/PPy NHs, suggesting the formation of a heterojunction.…”

“…The more negative flat band potential indicates the greater ability of the photoelectrode to split water. 54 Markedly, the conjunctional presence of both positive and negative slopes with a "V" shape and two flat band potential values (−1.28 and 1.19 V vs Ag/ AgCl) have been observed for ZnO:Bi/PPy NHs, suggesting the formation of a heterojunction. The highly negative flat band potential for NHs compared to doped ZnO NPs favors a water-splitting reaction (Figure S11a−c and Table S6).…”

Graphdiyne/CdSe quantum dot heterostructure for efficient photoelectrochemical water oxidation

“…The bandgaps for CdSe QDs, GDY and CdSe/GDY were calculated to be 2.14, 1.62 and 1.94 eV, respectively (figure 4(a)). Furthermore, Mott-Schottky measurements were conducted by an electrochemical work station to determine the flat band potential and carrier density, which were based on the Schottky barrier between electrolytes and semiconductors [40,41]. 4(c).…”

Desenvolvimento de heterojunções >i<n>/i<-BiVO>sub<4>/sub</>i<p>/i<-FeMO>sub<x>/sub< (M = Ni, Co e Mn) por pulverização catódica: elucidação da estrutura eletrônica e alinhamento interfacial de bandas na fotoeletrólise da água

“…Figura 15 -a) Posicionamento das bandas de condução e de valência em relação ao nível de Fermi na condição de banda plana e camada de acumulação para semicondutores do tipo p (esquerda) e tipo n (direita). Fonte: Adaptada de NIVEDITHA et al 75 A partir da discussão sobre o comportamento das bandas dos semicondutores do tipo p e do tipo n em solução, estabelece-se a base para discussão sobre as estratégias de otimização de fotoanodos para aplicação em fotólise da água. Principalmente porque uma das principais estratégias é a formação de heterojunções, sendo a principal delas a junção p-n, também denominada heterojunção do tipo I. Assim, a seção 2.6.2 apresentará os tipos de heterojunção de semicondutores, apresentando os fundamentos teóricos bem como trabalhos reportados na literatura, com a última subseção tratando especificamente de heterojunções com o BiVO 4 , material base para formação dos fotoanodos estudados neste trabalho.…”

“…Figura 14 -Camada de depleção na interface semicondutor-eletrólito para semicondutores tipo n à esquerda e tipo p, à direita. Fonte: Adaptada de NIVEDITHA et al75 …”