Single-event-effect sensetivity characterization of LSI circuits with a laser-based and a pulsed gamma-ray testing facilities used in combination

Abstract

Evaluation formulas are presented for equivalent heavy ion linear energy transfer in the context of LSI circuit sensetivity to single event effects, based on local laser test data. The method suggested is vali dated for calculating the linear energy transfer from laser pulse energy on the basis of radiation response measurements on pulsed gamma ray test sets. The method is free from errors related to the uncertainty in electrical properties of semiconductor structures.

Possibilities and limitations of focused laser technique application for SEE sensitivity parameters estimation

“…Рекомендуется проводить его оценку с помощью калибровочных испытаний по результатам облучений ионами не менее чем при двух значащихся значениях сечений Александр И. Чумаков ВОЗМОЖНОСТИ И ОГРАНИЧЕНИЯ ЛАЗЕРНЫХ МЕТОДОВ ПРИ ОЦЕНКЕ ПАРАМЕТРОВ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ БИС К ЭФФЕКТАМ ВОЗДЕЙСТВИЯ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ одиночных эффектов [13]. Вместе с тем существует возможность его оценки и другими методами с использованием методики локального лазерного облучения, а также за счет применения импульсных и/или стационарных воздействий [14][15].…”

The Laser-only Single-event Effects Test Method for Spacecraft Electronics Based on Ultrashort-pulsed-laser Local Irradiation

“…b. Determination of SEE threshold energy values J ℎ (0) of the laser radiation extrapolated to sharply focused in each selected sensitive point [5,13,14]. J ℎ (0) can be estimated asymptotically from experimental SEE threshold laser energy J ℎ vs.…”