“…目前, 商业化最常见的大功率白光 LED 主要由 GaN-基半导体芯片、掺杂 Y 3 Al 5 O 12 : Ce 3+ (YAG: Ce) 的硅烷发光层以及硅烷透镜组成 [29] 。对于大功率 LED 而言, 芯片产生的温度高达 150~200℃, 直接 导致涂覆在芯片上的荧光粉发生温度淬灭效应, 造 成 LED 器件发生光衰减和色温偏移。同时, 作为封 装材料的硅烷易受蓝光芯片产生的热辐射影响而老 化和泛黄 [30] , 从而影响 LED 的透过率、色度等发光 性能以及使用寿命。此外, 荧光粉尺寸一般>1 μm, 折射率≥1.85, 而树脂或硅胶的折射率则较小, 因 此在荧光粉颗粒表面存在光散射, 造成发光器件效 率较低 [31] 。 研究者通过控制荧光粉晶体在前驱体玻璃中的 结晶, 制备荧光玻璃或微晶荧光玻璃陶瓷, 用以取 代传统的硅烷封装技术, 不仅获得相同的发射光范 围, 而且有效地避免温度对荧光体失效的影响, 显 著提高 LED 的使用寿命 [32] [35] 。Tsai 等 [36] 验证了荧光玻璃 的超高热稳定性, 即使在 350℃高温下, 玻璃仍表 现出稳定的色度特性。此后, 研究者通过改变玻璃 组分和制备条件, 逐渐提高 YAG: Ce 荧光玻璃的发 光性能。2014 年, Zhang 等 [37] 利用二次熔融法得到 量子产率高达 92%的 YAG: Ce 荧光玻璃。但是, 利 用掺杂 YAG: Ce 荧光玻璃组装得到的 LED 由于缺 少长波长的红光区域, 具有较低的显色指数(R a = 70~80)以及较高的相对色温(CCT = 4000~7500 K) [8] , 不能满足普通室内照明的要求。Tsai 等 [38] [33] Fig. 4 Comparison of transmitted luminescence of Ce 3+ activated garnet luminescent powder phosphor and ceramics [33] 本课题组经过近几年的研究探索, 成功地开创 了低温快速制备高性能玻璃的新工艺, 该工艺是通 过放电等离子体烧结技术烧结高活性多孔材料制备 高 质 量 的 玻 璃 块 体 。 目 前 已 开 发 出 ZSM-5 [39] 和 SBA-15 [40] 两种体系玻璃, 它们的烧结制备温度分 别为 1300 和 1000℃左右, 这比传统的高温熔融法 分别降低了 400 和 700℃。我们还将 YAG: Ce 荧光 粉和介孔材料 SBA-15 结合成功制备出荧光玻璃 [41] [43] 、Li [44] 、 Hughes [45] 等均采用共熔法制备掺铋硅基玻璃, 并通 过改变玻璃基质的组分、烧结温度等条件调节铋元 素的宽带发光位置及性能。 然而该方法熔融温度高、 时间长, 容易造成离子挥发, 组分不易控制。 针对量子点硅基发光玻璃而言, 一般是将原料 高温熔融, 然后对获得的块体进行热处理析出量子 点, 最终得到量子点玻璃。通过对热处理温度和时长 调节, 可以调控量子点的浓度、尺寸大小与分布情况, 从而得到光谱可调的量子点发光玻璃。Xu 等 [46] 通过 热处理法获得掺杂 CdSe 量子点的硅酸盐玻璃, 并 通过改变处理温度来调节量子点的尺寸, 当量子点 尺寸从 5.2 nm 增大到 6.9 nm 时, 发射谱峰从 553 nm 红移至 611 nm。Ghaemi 等 [47] 采用相同方法成功制备 了 ZnO 量子点发光玻璃, 研究发现随温度升高和热 处理时间延长, 在 247 nm 激发下, 发光峰从 392 nm 红移到 403 nm。Dong 等 [48] [56] 对固相烧结技 术的机理进行了深入研究, 他认为球形玻璃颗粒的 烧结机理是粘性流动, 在他们制备的玻璃实验中发 生这种粘性的温度范围是 575~744℃。1985 年贝尔 实验室 Rabinovich 对此方法进行了详细的综述 [57] 。 Takashi Uchino 等在 2004 [58] 和 2007 [59] [58][59] Fig. 5 SEM image, photograph and luminescence spectra of as-prepared by solid state sintering [58][59] 化硅玻璃, 但该方法制备所需的时间特别长, 能源 消耗大。…”