The effect of the plasma characteristics upon electrical properties of InP oxide obtained in an oxygen plasma

Abstract

The properties of oxide grown on InP samples immersed in an oxygen plasma depend on the physical (pressure, discharge power) or geometrical (size and position of the electrodes and sample) parameters and the characteristics of the sample (surface states, temperature, biasing). An electrostatic probe is used to study the variation of the plasma parameters with the discharge power and sample biasing. The electrical properties of InP oxide are related to the plasma parameters. The effect of the energy of the particles impinging on the sample is discussed. The experimental study has been carried out under the following conditions: RF plasma, 13.56 MHz; pressure, 60 m Torr; sample temperature, 300 degrees C; distance between electrodes, 9.2 cm; duration of oxidation treatment, 30 min.

Etude de la passivation de l'InP-n en plasmas RF et multipolaire d'oxygène

“…Dans le présent article, nous comparons les qualités des oxydes réalisés en plasma RF par Aït Saâda et al [5] avec ceux que nous avons réalisés en plasma multipolaire d'oxygène.…”

“…L'intérêt de cette étude réside dans la différence des décharges utilisées. On rappelle que les grandeurs caractéristiques d'un plasma RF d'oxygène [5] sont : une température électronique Te de l'ordre de quelques eV (3 à 7 eV) et une densité électronique Ne de l'ordre de 1010 cm-3.…”