The Electron‐Two Short‐Wavelength Phonon Scattering in Non‐Polar Semiconductors

Abstract

The transport properties are calculated in n-silicon with the electric field along the (1 11) direction, taking into account the electron-two (short wavelength)-phonon mechanism besides the usual one-phonon mechanisms. The variation of warm electron coefficient and zero field mobility with lattice temperature are in good agreement with experimental observations in a wide range of temperature. However, the disagreement noticed in the variation of drift velocity with the electric field in the high field region requires the inclusion of non-parabolicity of the conduction electrons in the calculation.Es werden die Transporteigenschaften von n-Silizium mit elektrischem Feld in (111)-Richtung berechnet, wobei neben dem Ein-Phononen-Mechanismus der Elektronen-Zwei-Phononen-Mechanismus (kurzer Wellenliinge) beriicksichtigt wird. Die hnderung des Koeffizienten warmer Elektronen und der Nullfeld-Beweglichkeit mit der Gittertemperatur stimmt gut mit experimentellen Beobachtungen in einem weiten Temperaturbereich uberein. Jedoch erfordert die in der Anderung der Driftgeschwindigkeit mit dem elektrischen Feld beobachtete Diakrepanz in den Rechnungen die Einbeziehung von Nichtparabolizitat der Leitungselektronen.