The influence of the lattice misfit on the growth of CuGaSe 2 Epitaxial Films on {100}‐oriented GaAs and GaP Substrates

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Thin films of CuTnTe,, CuInSe,, CuInS,, CuGaSe, and CuGaS, were deposited onto (111)-and ( 1 00)-oriented CaFz substrates by flash evaporation technique. Epitaxial growth occurs at substrate temperatures in the range from 750 t o 900 K, dependent on t,he kind of film material. Contrary t o the case of GaAs, GaP and Ge substrates there are always polycrystalline parts. The layers were found to be single phase and crystallizing in the chalcopyrite structure only. The composition of the films varied in dependence on the substrate temperature. I n the range of about 700 K a nearly stoichiornetric composition was found.Mit dem Flash-Verfahren wurden CuInTe,-, CuInSe,-, CuInS,-, CuGaSe,-und CuGaS,-Schichten auf (1 11)-und (100)-orientierte CaF,-Substrate abgeschieden. I m Substrattemperaturbereich von 750 bis 900 K erfolgte cine epitaktische Verwachsung, abhiingig vom Schichtmaterial. Es treten immer polykristalline Anteile auf, im Gegensat,z zur Verwendung von GaAs-, Gap-und Ge-Substraten. Die Schichten waren stets einphasig und kristallisierten in der Chalkopyritstruktur. In Abhiingigkeit von der Substrattemperatur veriindert sich die 2usa.mmensetzung der Schichten. I m Bereich urn 700 K wurde eice anniihernde Stochiometrie gefunden.

Growth, structure, and stoichiometry of epitaxial Cu‐III‐VI₂ films on CaF₂ substrates

Schümann

Kühn

1984

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RHEED Measurements of AgGaSe₂ thin films flash evaporated onto {111} a‐GaAs

Tempel

Schümann

Kühn

1985

AgGaSc, thin films a e r o prrpared hy flash evaporat,ion on { 11 I } A-oriented GaAs S I I~Istrates and investigated by reflection high energy electron diffraction (RH EEj)). Epitaxial growth takes place in the substrate temperature interval of T, = 845-920 K. The azimuthal orientation of the deposit, on the substrate is discussed, supposing a AgGaSc, c/n ratio of 1.82. T t is shown t,hat detection of twin formation in the films is possible froin ILH.EF:I) measurcmcnts in the (21 1 ) azimut,hs wit,h respect tlo t,ho substrat,r.Jliirch Flash-Verdampfimg wiirden diinnc AgGaSe,-Schichten aiif { I 1 I } A-orienticrtcn GaAs-Substraten abgeschieden und mittels Keflexionselektronerihengiing (RH EEI)) iirrtersucht. I m Substrattemperatnrbereich T, = 845 -920 K waren die erhaltenen Bchicht'en opitaktisch mit der Unterlage verwachsen. Unter Reriicksichtignng des c/n-Verhiiltnisscs von 1,82 fiir AgGaSe, werdon die azimutalen 1)epositorientier~irigen diskiitiert. Es wird gozeigt,, (la13 ails HHEl3D-l)iagrammen, die im < 21 1 )-Azimnt, hcziiglich dcs Sitbst>rats crhaltrn wurdcn, AgGa~Sc,-Zwillinge nachgewicsrn werdrn kijnncn. HOIUO, W. : Thin Solid Films 52, 45 (1978)

Stoichiometry of Thin Layers of CuInSe₂ Investigated by ESCA

Sommer

John

Meisel

1986

The stoichiomctry of thin epitaxial layers of CuInSe, on CaF, and GaAs substrates was determined by %he ESCA method. Substrate temperature was varied. It was found, t,hat layers of exact stoichiometry are got a t substrate temperatures around 700 K.Die Stochiometrie dunner epitaktischer Schichten von CuInSe, auf CaF,-und GaAsSubstraten wurde mit Hilfe der ESCA-Methode bestimmt. Dabei wurde die Substrattemperatur variiert. Es wurde festgestellt, daR Schichten mit exakter Sttichionietrie bei Substrattemperaturen um 700 K cntstehen.