Transfer phenomenon of charge carriers in crystals of Ca(Al0.1Ga0.9)2S4:Eu2+

Abstract

Research study of volt-amperage properties (VAP) of [Formula: see text] crystals determined the mechanism of current flow though the studied samples and this mechanism is based on barrier Schottky emission and emission of Franklin–Paul. The dielectric constant of the material, height of the potential barrier on metal–semiconductor border, concentration of the traps and the effective mass of electrons are calculated.

Исследование явления токопрохождения в кристаллах EuGa-=SUB=-2-=/SUB=-S-=SUB=-4-=/SUB=-:Er-=SUP=-3+-=/SUP=-

“…Анализ ВАХ, проведенный нами на нелинейном ее участке, показал, что изменение тока с напряжением происходит по экспоненциальному закону exp U 1/2 (рис. Френкеля−Пула -процесса [9], облегченного электрическим полем термического возбуждения электронов, захваченных ловушками в зону проводимости полупроводника, согласно приведенным в работе [10] формулам (рис. 2, процессы 1 и 2 соответственно):…”

“…Поскольку исследуемое соединение содержит значительную долю примесей (5%), на токопрохождение существенное влияние может оказывать наличие ловушек (центров захвата) (рис. 2, процесс 2), концентрацию которых можно найти по формуле [10]:…”

“…Форма потенциальной ямы, определенная на основании (4) и (5), показана на рис. 3.Из соотношения[10] где ε 0 = 8.85 • 10 −12 F/m -электрическая постоянная вакуума) можно получить выражение для относительной Metal Рис. 2.…”