Reactions between Et3-,AlCIx (where x = 0, 1, 2 , 3 ) and Me&Cl, carried out in CHZC12, CH3Cl or n-pentane a t -78'C, have been investigated by VPC-MS analysis of the resulting products. The use of CDzClz and (CD3)3CCl made it possible to confirm the suggested reactions.Under mild conditions and in the presence of ethylene the system EtAlC12 + Me3CCl yields branched, saturated Cs, Cs, and Clo hydrocarbons.Conductimetric and NMR observations during the reactions have confirmed the VPC-MS results, which could be interpreted according to an overall cationic mechanism involving the following reactions : a) Abstraction of a P-hydrogen atom from an ethyl group linked to Al and simultaneous b) repeated addition of ethylene to cationic species; c) termination by hydride transfer ; d) termination by chloride ion abstraction by carbonium ions. formation of ethylene ; ZUSAMMENFASSUNG: Die in CHzClz, CH3C1 oder n-Pentan bei -78 O C durchgefuhrte Umsetzung zwischen. (C~Hj;b(3-,,A1ClX (x = 0, 1, 2, 3) und (CH3)3CCl wurde untersucht. Die Analyse der! erhaltenen. Umsatzprodukte erfolgte mit Hilfe der GC-MS-Methoden. Die Reaktion in den deuterierten Losungsmitteln CDzClz und CD3C1 bestatigte den vorgeschlagenen Mechanismus Unter milden Bedingungen setzt sich (CzH5)AlClz mit (CH&CCl in Athylen zu verzweigten, gesattigten Kohlenwasserstoffen mit 6, 8 und 10 C-Atomen um. Wahrend der Reaktion durchgefiihrte NMR-und Leitfahigkeitsmessungen haben die GC-MS-Resultate bestatigt ; die Ergebnisse konnen mit einem kationischen Mechanismus, der folgende Reaktionsschritte urnfafit, erklart werden : a) Entzug eines P-Wasserstoffatoms einer an Al gebundenen Athylengruppe unter gleichb) Wiederholte Anlagerung von Athylen an organische Kationen. c) Abbruch durch Wasserstoffiibertragung. d) Abbruch durch Anlagerung eines Chloridions an ein Carboniumion. zeitiger Bildung von Athylen. e) I-Chloro-3.3-dimethyl-butane (CDMB), mole-% with respect to Me3CCl employed. VI z d) Composition of the product: found A1 = 20.1, C1 = 78.8; (calcd. A1 = 20.2, C1 = 79.8). P. m Ip W