2016
DOI: 10.7868/s0002337x16110129
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Влияние магния на основные характеристики люминофоров ZnS:Cu,Mn

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
4

Citation Types

0
0
0
5

Year Published

2020
2020
2024
2024

Publication Types

Select...
4

Relationship

0
4

Authors

Journals

citations
Cited by 4 publications
(5 citation statements)
references
References 0 publications
0
0
0
5
Order By: Relevance
“…Большой интерес вызывают легированные кристаллы сульфида цинка [3][4][5][9][10][11][12]. Их оптические свойства определяются не только системой уровней собственных дефектов кристаллической структуры " чистого" ZnS, но и уровнями, сформированными в запрещенной зоне легирующими ионами.…”
Section: Introductionunclassified
“…Большой интерес вызывают легированные кристаллы сульфида цинка [3][4][5][9][10][11][12]. Их оптические свойства определяются не только системой уровней собственных дефектов кристаллической структуры " чистого" ZnS, но и уровнями, сформированными в запрещенной зоне легирующими ионами.…”
Section: Introductionunclassified
“…Большая ширина запрещенной зоны (3.68 eV при 300 K) позволяет существенно изменять энергетическую диаграмму ZnS, введением в его состав легирующих катионов (Cu, Mn, Pb и др.) [1, 6,16,17,[19][20][21]. Они замещают ионы цинка в его подрешетке и занимают пустоты в кристаллической структуре ZnS.…”
Section: Introductionunclassified
“…Ее интенсивность увеличивается с увеличением концентрации ионов меди [52]. Неоднородное уширение и структура полосы при увеличении концентрации ионов меди объясняются образованием различных поглощающих центров, включая ионные ассоциаты вида Cu 2+ I −Cu 2+ V , где Cu 2+ I -ион меди в междоузлии кристаллической структуры ZnS, а Cu 2+ V -ион меди в узле кристаллической структуры ZnS на позиции иона цинка [20]. Аналогичные изменения наблюдаются в спектре композиций ПММА/(Zn, Ag)S. Длинноволновое смещение спектральной полосы при увеличении в составе композиции концентрации ионов Ag + также связано с образованием сульфида серебра на поверхности частиц ZnS.…”
unclassified
“…Для синтеза простых КТ и многослойных КТ (МКТ), как и для объемных кристаллических люминофоров, широко применяются полупроводники группы А II В VI [12][13][14][15][16][17][18][19][20][21]. Впервые в качестве " адаптеров несоответствий решетки" в системах " ядро/оболочка/оболочка" были применены CdS или ZnSe в системе CdSe/ZnS [22,23].…”
Section: Introductionunclassified
“…Послойное легирование многослойных структур можно рассматривать в качестве одного из способов " сглаживания" несоответствий кристаллических решеток по-лупроводников на границе слоев, а также как способ формирования предсказуемой энергетической диаграммы каждого слоя и частицы в целом посредством формирования дефектов в объеме кристаллов каждого слоя и на их поверхности [20,[30][31][32][33][34][35]. Кроме того, в легированных полупроводниках кроме рекомбинационной наблюдается внутризонная люминесценция [12,19].…”
Section: Introductionunclassified