2020
DOI: 10.21883/ftt.2020.12.50221.163
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Влияние напряжения смещения и скорости осаждения на структуру и коэрцитивность пленок NiFe

Abstract: Influence of the bias voltage Ub and the deposition rate  on the structure, grain size D, and coercivity Hc of NiFe films with the thickness d from 30 to 980 nm, grown onto Si / SiO2 substrates by DC magnetron sputtering, was studied. In the case Ub = 0, the decrease of  from ≈ nm/min to ≈ 7 nm/min is accompanied by the increase of the critical film thickness dcr from dcr ≈ 220 nm to dcr ≈ 270 nm. In this case, Hc in the films with d < dcr is characterized by the dependence Hc ~ D6 and varies from … Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2

Citation Types

0
0
0
1

Year Published

2022
2022
2023
2023

Publication Types

Select...
2

Relationship

1
1

Authors

Journals

citations
Cited by 2 publications
(2 citation statements)
references
References 13 publications
(19 reference statements)
0
0
0
1
Order By: Relevance
“…Основными способами формирования наведенной магнитной анизотропии в плоскости пленок являются наклонное напыление и осаждение пленок в присутствии магнитного поля, ориентированного в плоскости подложки [2][3][4]. Напыление пленки при наличии магнитного поля, ориентированного перпендикулярно плоскости подложки, может способствовать увеличению перпендикулярной магнитной анизотропии, возникновение которой обусловлено, как правило, микроструктурой пленки, а именно, столбчатой структурой [5][6][7]. Уменьшение магнитной анизотропии в плоскости образцов чаще всего достигается воздействием на осаждаемую пленку вращающимся в плоскости подложки магнитным полем или путем последующих дополнительных термомагнитных обработок [8,9].…”
Section: Introductionunclassified
“…Основными способами формирования наведенной магнитной анизотропии в плоскости пленок являются наклонное напыление и осаждение пленок в присутствии магнитного поля, ориентированного в плоскости подложки [2][3][4]. Напыление пленки при наличии магнитного поля, ориентированного перпендикулярно плоскости подложки, может способствовать увеличению перпендикулярной магнитной анизотропии, возникновение которой обусловлено, как правило, микроструктурой пленки, а именно, столбчатой структурой [5][6][7]. Уменьшение магнитной анизотропии в плоскости образцов чаще всего достигается воздействием на осаждаемую пленку вращающимся в плоскости подложки магнитным полем или путем последующих дополнительных термомагнитных обработок [8,9].…”
Section: Introductionunclassified
“…Улучшение магнитомягких свойств пленок в результате термического отжига показано в работе [7] и объясняется рядом факторов, таких как уменьшение напряжений в результате рекристаллизации, уменьшение размера зерна и изменением текстуры. Влияние внутренних напряжений и текстуры пленок на магнитомягкие свойства пленок описано в работах [8][9][10].…”
Section: Introductionunclassified