Влияние примеси самария на структуру и морфологию поверхности халькогенидного стеклообразного полупроводника Se-=SUB=-95-=/SUB=-Te-=SUB=-5-=/SUB=-

Abstract

Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии исследованы структура и морфология поверхности пленок Se95Te5, а также влияние на них легирования самарием. C использованием параметров первого резкого дифракционного максимума (FSDP), наблюдаемого в картинах распределения интенсивности дифракции рентгеновских лучей, определены численные значения параметров локальной структуры, в частности "квазипериод" флуктуаций плотности, длина корреляции, диаметры нанопустот. Кроме того, определены численные значения амплитудных параметров шероховатости поверхности. Установлено, что с увеличением процентного содержания примеси самария наблюдается рост разупорядочения в атомной структуре и рост неоднородностей на поверхности исследуемых пленок. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44561.8228