No abstract

Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии исследованы структура и морфология поверхности пленок Se95Te5, а также влияние на них легирования самарием. C использованием параметров первого резкого дифракционного максимума (FSDP), наблюдаемого в картинах распределения интенсивности дифракции рентгеновских лучей, определены численные значения параметров локальной структуры, в частности "квазипериод" флуктуаций плотности, длина корреляции, диаметры нанопустот. Кроме того, определены численные значения амплитудных параметров шероховатости поверхности. Установлено, что с увеличением процентного содержания примеси самария наблюдается рост разупорядочения в атомной структуре и рост неоднородностей на поверхности исследуемых пленок. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44561.8228

No abstract

Specifics of "amorphous state - crystal" phase transitions in dependence on the samples obtaining method and thermal processing, as well as changes in the structure and close range order in the arrangement of the atoms of Ge20Sb20.5Te51 chalcogenide semiconductors have been studied by the x-ray diffraction and Raman spectroscopy. It has been shown that Ge20Sb20.5Te51 films obtained by thermal evaporation on an unheated substrate are amorphous; after heat treatment at 220 and 400 °C, transform into a crystalline phase with a cubic and hexagonal structure. The chemical bonds and the main structural elements that form the matrix of the investigated objects, as well as the changes that occur in them during heat treatment, have been determined.

Поступила в Редакцию 3 апреля 2019 г. В окончательной редакции 15 апреля 2019 г. Принята к публикации 22 апреля 2019 г.Методами рентгеновской дифракции и комбинационного рассеяния света изучена локальная структура пленочных образцов халькогенидного стеклообразного полупроводника Se 95 As5 и Se 95 As5(EuF 3 )x (x = 0.01−1 ат%). Определены " квазипериод" структуры, длина корреляции, структурные элементы и химические связи, образующие аморфную матрицу исследованных материалов. Интерпретация полученных результатов проведена в рамках пустотно-кластерной модели Эллиота с учетом химической активности ионов европия.Ключевые слова: рентгеновская дифракция, рамановская спектроскопия, некристаллические полупроводники, локальная структура, неупорядоченность.