Влияние Процесса Формирования Единичного Кластера Радиационных Дефектов На Проводимость Канала Транзисторной Структуры

Abstract

The effect of a single radiation defects cluster formation on the characteristics of short-channel structures was studied. Estimates of the nuclear particle energy, capable of forming a cluster of radiation defects, causing a failure and modern silicon transistors failure with various channel sizes.

Влияние Процесса Образования Единичного Кластера Радиационных Дефектов На Переключение Состояния Транзисторной Ячейки Памяти

“…Общим для вышеперечисленных работ механизмом сбоев является попадание ОЯЧ в закрытый транзистор ячейки памяти, его несанкционированное открывание за счет переходных ионизационных процессов, протекающих в нем, и последующее переключение ячейки памяти. В работе [11] впервые был предложен другой механизм возникновения сбоя ячейки статической памяти, который обусловлен процессом образования разупорядоченной области, а не процессом генерации неравновесных носителей заряда, который в настоящее время хорошо изучен для транзисторов, выполненных по современным проектным нормам [4][5][6]. При формировании кластера радиационных дефектов в канале транзистора возможно возникновение ситуации, когда его проводимость за счет дополнительного рассеяния подвижных носителей заряда на образующихся радиационных дефектах опустится ниже критического значения, которое определяет границу между открытым и закрытым состояниями.…”