Изготовление и исследование коммутирующих p-n-переходов для каскадных фотопреобразователей

Abstract

Представлены результаты исследований по созданию новых соединительных элементов для применения в монолитных многопереходных фотопреобразователях на основе InP. В качестве альтернативы туннельным переходам продемонстрирован новый тип соединительных элементов с удельным омическим сопротивлением менее 2 m • cm 2 в диапазоне плотностей тока до 700 A/cm 2 .

Замена туннельных переходов в InP на каналы проводимости с кристаллитами GaP

“…Важным является cохранение качества материала фотоактивных переходов, выращенных поверх слоев, содержащих нанокристаллиты, так как снижение их качества приводит к уменьшению эффективности преоб-разования излучения. Особенности получения массивов кристаллитов GaP на слое InP описаны в [9,10].…”