Исследование поведения структурных дефектов в нанокристаллах CdSe-=SUB=-x-=/SUB=-S-=SUB=-1-x-=/SUB=-

Применения силикатных стекол с полупроводниковыми нанокристаллами CdS-=SUB=-x-=/SUB=-Se-=SUB=-1-x-=/SUB=- в качестве оптических термометров и оптических фильтров с регулируемым краем поглощения

“…В нашем случае, поскольку исследуемый полупро-водниковый материал имеет прямозонную структуру, доминирующими переходами должны быть разрешен-ные прямые переходы, что соответствует значению [12]. Действительно, из формулы (1) видно, что зависимость d{ln(αhν)}/d(hν) от hν, при hν = E g долж-на иметь разрыв.…”

“…Такое поведение температурного коэф-фициента энергии запрещенной зоны можно объяснить уменьшением эффективной концентрации дефектов в образовавшихся нанокристаллах. Как показывают на-ши исследования [12], на ранней стадии образования нанокристаллов в них имеются структурные дефекты в большом количестве из-за хаотичного распределения атомов. Низкотемпературная термообработка уменьша-ет концентрацию дефектов, кристаллическая решетка в нанокристаллах становится более совершенной, умень-шается концентрация дискретных уровней в запрещен-ной зоне, край поглощения становится более крутым, и в результате все это приводит к увеличению темпера-турного коэффициента энергии запрещенной зоны.…”

Влияние разупорядочения тонких поверхностных слоев на электронные и оптические свойства Si (111)

“…Это свидетельствует о высокой степени монокристалличности образца Si (111). Известно[17,18], что наличие в кристаллах разупорядочения на атомном уровне приводит к появлению на зависимости коэффициента поглощения от (hν) 2 экспоненциальных участков. Ионная бомбардировка приводит к заметному уменьшению коэффициента поглощения во всей исследуемой области hν, увеличению экспоненциального участка и, следовательно, уменьшению крутизны линейного участка кривой I(hν) (рис.2).…”